[实用新型]一种掩膜板及离子注入设备

权利要求书

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：透过掺杂离子的全透过区、透过部分掺杂离子的半透过区，以及不透过掺杂离子的全遮挡区，其中，所述全透过区正对基板的重掺杂区域，所述半透过区正对基板的轻掺杂区域，所述全遮挡区正对基板的无掺杂区域。

2.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括透过掺杂离子的衬底层以及位于所述衬底层之上的离子阻挡层，其中，所述离子阻挡层仅位于所述全遮挡区和所述半透过区，所述全遮挡区的厚度为毫米级，所述半透过区的厚度为纳米级。

3.如权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括透过掺杂离子的衬底层以及位于所述衬底层之上的离子阻挡层，其中，所述离子阻挡层仅位于所述全遮挡区和所述半透过区，位于所述全遮挡区的离子阻挡层遮盖所述衬底层，位于所述半透过区的离子阻挡层为条形光栅结构。

4.如权利要求3所述的掩膜板，其特征在于，所述条形光栅为等间距光栅，所述光栅的狭缝间距为1～2纳米。

5.如权利要求2或3所述的掩膜板，其特征在于，所述离子阻挡层为铬金属层。

6.如权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括位于所述铬金属层之上的氮化铬层或氧化铬层。

7.如权利要求2或3所述的掩膜板，其特征在于，所述衬底层为硼硅玻璃或石英玻璃。

8.一种离子注入设备，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的掩膜板。