[实用新型]一种单晶节能热场

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种单晶节能热场，尤其涉及一种热量损失小、节约用电量的单晶节能热场。

背景技术

在半导体的晶体硅片生产中，晶体硅片在单晶炉热场中进行生长，因此单晶炉热场装置的性能优劣决定了晶体成长以及生产过程中的能耗。目前的单晶炉热场装置从上到下设置有上盖、筒体、下盖，筒体内设置有上热场和下热场，上热场和下热场通过固定在筒体上的支撑板间隔，下盖内设置有防漏底盘，下热场与下盖的结合处设置有防漏板，防漏底盘与防漏板间填充毛毡，由于下盖与防漏底盘间存在腔体，从而热量存在部分损失的问题；防漏板的尺寸与下热场内径一致，而置于防漏板上的加热器位于下热场的中下部，采用这种排布方式，存在着加热器产生的热量不是第一时间传送到上热场上部的问题，造成热量丧失；另外，位于加热器底部的反射板目前通用的尺寸相对较大，从而在安装维护时存在着上提过程中受到筒体内壁的磕碰。长期使用单晶炉热场装置的实验数据表明，上述加热元器件与筒体间的隔热结构的设计，由于防漏板、防漏底盘等均为石墨材料，存在着热传导性能好的特点，因此，加热器所产生的热量，其中一小部分热量就丧失了，从而为满足热量需求就增加了发电量的需要，存在耗能的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种单晶节能热场，具有热量不易丧失的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型的方案为：一种单晶节能热场，包括炉体，所述炉体从上到下设置有上盖、筒体、下盖，所述上盖和所述筒体的结合部分以及所述筒体与所述下盖的结合部分均栓接，所述筒体内设置有沿筒体内壁四周设置有热场，所述热场中设置有防漏板，所述防漏板上方设置有加热器，该加热器底部设置有伸入加热器内的反射板，所述加热器四周环设有石墨保温筒，其创新点在于：所述防漏板与所述下盖间填充有软毡。

优选地，所述防漏板位于所述热场的中心，且防漏板四周与所述热场间留有间隙，所述间隙中填充有软毡。

优选地，所述石墨保温筒与所述热场间填充有软毡，且该软毡填充至所述上盖和所述热场的结合部分。

优选地，所述反射板与所述防漏板间填充有使所述加热器位于所述热场中部的软毡。

本实用新型的优点为：相较于传统设备，通过下列方式提高热场的保温性能，1）去除防漏底盘直接采用软毡填充满下盖，在下盖体积不变的情况下从而增加了软毡的填充量，提高了隔热效果；2）防漏板通过减小尺寸，使得防漏板与热场间留有间隙，并在间隙中填充软毡，取代传统的防漏板直接连接到热场上，从而避免热量直接通过防漏板、筒体传导到外界；3）通过在加热器底部的反射板与防漏板间填充软毡，取代传统的直接放置在防漏板上，从而加热器的布置位置提高，此时位于热场中部的加热器更加逼近工作区域，从而降低热量的丧失；4）石墨保温筒与热场间填充有软毡，且该软毡填充至上盖和所述热场的结合部分，采用这种全面包裹型的设计，替代传统的上半段和下半段的设计，从而避免热量从上半段和下半段结合部丧失。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步详细的说明。

图1是本实用新型一种单晶节能热场的俯视图。

图2是本实用新型一种单晶节能热场的A-A剖视图。

图中：1-上盖、2-筒体、3-下盖、4-防漏板、5-加热器、6-反射板、7-石墨保温筒、8-热场。

具体实施方式

本实用新型的一种单晶节能热场主要炉体，如图1和图2所示，该炉体从上到下设置有上盖1、筒体2、下盖3，其中上盖1和筒体2的结合部分以及筒体2与下盖3的结合部分均栓接，筒体3内设置有沿筒体内壁四周设置有热场8，热场8内设置有防漏板4，防漏板4位于热场8的中心，该防漏板4四周与热场2内壁间留有间隙，并在该间隙中填充软毡。

加热器5设置于防漏板4上方，加热器5底部设置有伸入加热器5内的反射板6，通过在反射板6与防漏板4间填充软毡，利用若干层叠加的软毡使得加热器5位于热场8中部，从而使得加热器更加逼近待加热区域，从而加热器5产生的热量相对集中，从而减少热量的丧失。

在加热器5四周环设有石墨保温筒7，并在石墨保温筒7与热场8间填充有软毡，且该软毡填充至上盖1和热场2的结合部分，从而使得加热器5产生的热量减少从热场部分丧失的几率。

为减少加热器5产生的热量的丧失，加热器5下方的防漏板4与下盖3间填充有软毡，利用软毡完全填充下盖腔体，从而加热器5形成底部及四周软毡包裹，从而减少热量的丧失。