[实用新型]IGBT驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，特别是一种IGBT驱动电路。

背景技术

绝缘栅双极晶体管(IGBT)近年来得到了越来越广泛的应用，它集中了功率场效应管和大功率双极性晶体管的优点，采用电压型驱动，其驱动功率小，驱动电路简单，导通时通态压降小，因此被广泛使用。

功率IGBT对电路有一些特殊要求，其驱动电路性能的优劣直接决定了IGBT运行的可靠性，一般的IGBT驱动电路采用光耦隔离，其工作频率一般小于40kHz,并且光耦成本高昂，提高了企业的成本，并且，驱动性能不稳定，抗干扰能力较差。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种性能稳定、抗干扰能力强的IGBT驱动电路。

为了实现本实用新型的目的，采取的技术方案是：

一种IGBT驱动电路，包括脉冲模块、晶体管功率放大模块、脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁和至少一个IGBT栅极驱动模块，脉冲模块与晶体管功率放大模块电连接，脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁分别与晶体管功率放大模块、IGBT栅极驱动模块相耦合，晶体管功率放大模块位于脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁的初级端，至少一个IGBT栅极驱动模块位于脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁的次级端。

通过将IGBT的驱动电路分成多个独立的模块，能提高电路整体的性能，是电路性能更加稳定，通过脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁进行传输和隔离，隔离效果更优越，并且频率更高，抗干扰能力更强。

下面对技术方案进一步说明：

优选的是，所述晶体管功率放大模块包括第一电阻R₁、晶体管VT、稳压管ZD、第一二极管D₁，第一电阻两端分别连接脉冲模块和晶体管VT的源极，稳压管ZD一端与第一二极管D₁的正极连接，另一端与晶体管VT的栅极连接，第一二极管的负极与电源连接。高频脉冲信号经过第一电阻R₁后到达晶体管VT的栅极，使晶体管VT开通，高频脉冲信号经电源+VCC、脉冲变压器T₁初级、晶体管VT进行功率放大后，由脉冲变压器T₁隔离耦合在T₁次级产生感应电压，经二极管D₂、二极管D₃、电阻R₄、电阻R₅来产生驱动功率IGBT所需的驱动电压+VGE。

优选的是，所述IGBT栅极驱动模块数量为两个或多个，两个或多个IGBT栅极驱动模块并接于脉冲变压器功率传输与隔离模块T₁的次级。当一个驱动电路同时驱动两个或多个IGBT栅极驱动模块时，既能提高驱动电路的利用率，又可降低生产成本。