[实用新型]反向电流阻断比较器有效

专利信息
申请号: 201420208320.1 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN203896324U 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: T·戴格尔;J·L·斯图兹 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 反向 电流 阻断 比较
【权利要求书】:

1.一种电子开关设备,包括:

至少一个晶体管,其被配置为模拟开关;

阱偏压电路,其被配置成向所述至少一个晶体管的本体区提供动态电偏压;以及

比较器电路,其与所述阱偏压电路和所述晶体管电连通,其中所述比较器电路被配置成检测所述晶体管的第一工作条件和所述晶体管的第二工作条件,

其中所述阱偏压电路被配置成当检测到所述第一工作条件时将第一电偏压施加至晶体管的所述本体区,以及当检测到所述第二工作条件时将第二电偏压施加至所述晶体管的所述本体区,并且其中所述比较器被配置成将迟滞施加于所述第一工作条件和所述第二工作条件的检测。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一工作条件包括所述晶体管输入处的电压大于所述晶体管输出处的电压,并且所述第二工作条件包括所述晶体管输入处的电压小于所述晶体管输出处的电压。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述阱偏压电路被配置成当检测到所述第一工作条件时使所述晶体管p型阱的所述偏压减少所述晶体管输入处的所述电压与所述晶体管输出处的所述电压间的差值,以及当检测到所述第二工作条件时使所述晶体管n型阱的所述偏压增加所述晶体管输出处的所述电压与所述晶体管输入处的所述电压间的差值。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的设备,其中所述比较器电路被配置成将可调节迟滞施加于所述第一工作条件和所述第二工作条件的检测。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述比较器包括附接到电流镜的多个交叉耦合装置,并且其中所述迟滞通过改变所述电流镜的装置的比率而可调节。

6.根据权利要求5所述的设备,其包括所述电流镜的电流基准,其中所述至少一个晶体管、所述阱偏压电路、所述比较器电路和所述电流基准包括在IC中,并且其中所述电流基准在将非零电压施加到IC的n型阱时为活动的。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶体管包括在模拟开关电路中,并且所述比较器电路包括被配置成指示所述模拟开关的工作条件的输出。

8.根据权利要求7所述的设备,其包括被配置成根据所述比较器的所述输出改变所述模拟开关电路的操作的控制电路。

9.根据权利要求7或权利要求8所述的设备,其中所述比较器电路的所述输出指示流过所述晶体管的电流的方向或流过所述晶体管的所述电流的大小中的至少一者。

10.根据权利要求1所述的设备,其中所述晶体管包括在传输门电路中。

11.根据权利要求1所述的设备,其中所述至少一个晶体管、所述阱偏压电路和所述比较器电路包括在电池充电系统中。

12.根据权利要求11所述的设备,其中所述电池充电系统被配置成向蜂窝电话的电池供电。

13.根据权利要求1和10-12中任一项所述的设备,其中所述比较器电路被配置成检测:作为所述晶体管的所述第一工作条件,所述晶体管输入处的电压大于所述晶体管输出处的电压,其差值小于所述晶体管的阈值电压;以及检测:作为所述第二工作条件,所述晶体管输出处的所述电压大于所述晶体管输入处的所述电压,其差值小于所述晶体管的所述阈值电压。

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