[实用新型]MOSFET半桥驱动电路

权利要求书

1.MOSFET半桥驱动电路，该MOSFET半桥包括上管和下管，所述的上管为PMOS管，所述的下管为NMOS管，所述PMOS管的源极与半桥驱动电路电源连接，所述PMOS管的漏极与所述NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的源极接地；其特征在于，该MOSFET半桥驱动电路包括死区时间控制电路；其中： 

所述的死区时间控制电路包括： 

第一充放电电路，该第一充放电电路包括第一电阻和第一电容，所述第一电阻的一端为该死区时间控制电路的信号输入端，第一电容的一端与第一电阻的另一端连接，第一电容的另一端接地； 

电平转换电路，该电平转换电路的输入端连接于所述第一电阻和第一电容的共接点，输出端与所述PMOS管的栅极连接； 

第二充放电电路，该第二充放电电路包括稳压管和第二电容，所述稳压管的负极与第一电阻的一端连接，所述第二电容的一端与该稳压管的正极连接，第二电容的另一端接地；所述NMOS管的栅极连接于所述稳压管与所述第二电容的共接点。 

2.如权利要求1所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述MOSFET半桥驱动电路包括反相电路，所述的反相电路包括第一NPN三极管、基极限流电阻和第一上拉电阻；所述第一NPN三极管的集电极与所述第一上拉电阻串联后与所述的半桥驱动电路电源相连，发射极接地，基极与所述的基极限流电阻串联； 

所述第一电阻的一端以及所述稳压管的负极均连接于所述第一NPN三极管的集电极与所述第一上拉电阻的共接点。 

3.如权利要求2所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述的反相电路包括第一滤波电容、第一分压电阻和第一钳位电阻；所述的第一滤波电容与第一分压电阻并联后的一端与所述基极限流电阻的一端连接，该基极限流电阻的另一端与第一NPN三极管的基极连接，所述的第一滤波电容与第一分压电阻并联后的另一端接地；所述第一钳位电阻的一端与所述第一NPN三极管的基极连接，第一钳位电阻的另一端接地。 

4.如权利要求1至3中任何一项所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述的电平转换电路包括第二NPN三极管、第二上拉电阻、第一PNP三极管和第二分压电阻； 

所述第二NPN三极管的基极连接于所述第一电阻和第一电容的共接点，第二NPN三极管的集电极与第二上拉电阻的一端连接，第二NPN三极管的发射极接地；所述第一PNP三极管的基极与第二上拉电阻的另一端连接，第一PNP三极管的发射极与所述的半桥驱动电路电源连接，第一PNP三极管的集电极与所述的第二分压电阻串联后接地；所述的PMOS管的栅极连接于该第一PNP三极管的集电极与第二分压电阻的共接点。 

5.如权利要求4所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述的电平转换电路包括第二钳位电阻和第三钳位电阻； 

所述第二钳位电阻的一端与第二NPN三极管的基极相连，第二钳位电阻的另一端与第二NPN三极管的发射极相连；所述第三钳位电阻的一端与第一PNP三极管的基极相连，第三钳位电阻的另一端与第一PNP三极管的发射极相连。 

6.如权利要求5所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述的死区时间控制电路包括第一栅极限流电阻、第二栅极限流电阻、第一钳位稳压管和第二钳位稳压管； 

所述的第一栅极限流电阻的一端连接于第一PNP三极管的集电极与第二分压电阻的共接点，第一栅极限流电阻的另一端与所述PMOS管的栅极连接；所述第一钳位稳压管的正极与PMOS管的栅极连接，负极与所述半桥驱动电路电源相连； 

所述的第二栅极限流电阻的一端连接于所述稳压管与所述第二电容的共接点，第二栅极限流电阻的另一端与所述NMOS管的栅极连接；所述第二钳位稳压管的负极与所述NMOS管的栅极连接，正极接地。 

7.如权利要求6所述的MOSFET半桥驱动电路，其特征在于，所述的死区时间控制电路包括第三分压电阻，所述第三分压电阻的一端连接于所述稳压管与所述第二电容的共接点，第三分压电阻的另一端接地。