[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

与普通液晶显示技术相比，FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)技术能提供更宽的视角、更高的透射率、更宽的相应时间以及更高的亮度和对比度,因此FFS技术受到更多的青睐。

FFS-LCD(Fringe Field Switching-Liquid Crystal Display，边缘场开关液晶显示器)的阵列基板上包括横纵交叉的栅线11、公共电极线12、数据线13、薄膜晶体管30、公共电极14以及像素电极15，其中一个像素单元如图1所示，薄膜晶体管30包括栅极31、源极32和漏极33，其中，栅极31与栅线11电连接，源极32与数据线13电连接、漏极33与像素电极15电连接，通过栅线11和数据线13分别向栅极31和源极32提供栅极信号和源极信号，薄膜晶体管30的漏极33向像素电极15充电。同时公共电极14与公共电极线12电连接，通过公共电极线12向公共电极14提供电信号。且像素电极15上设置有多条狭缝151，则当公共电极14和像素电极15同时加载电信号，在公共电极14和像素电极15在狭缝151处形成边缘电场，驱动液晶以进行显示。

现有的像素电极上的狭缝如图1所示，由于像素电极15上狭缝151为封闭结构，造成像素电极和公共电极的交叠面积大，进而其存储电容大，充电困难。且如图2所示，像素电极15周围以及相邻的两个像素电极之间的液晶20难以驱动，造成透过率低，显示延迟等问题。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，解决了现有的阵列基板上公共电极和像素电极之间的存储电容大，且像素电极周围以及相邻的两个像素电极之间的液晶难以驱动的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上平面电极、狭缝电极以及位于所述平面电极和狭缝电极之间的绝缘层，所述狭缝电极中至少一条狭缝在所述狭缝电极的至少一侧形成开口。

可选的，相邻的两条狭缝在所述狭缝电极的两侧分别形成开口。

可选的，每一条狭缝在所述狭缝电极的两侧分别形成开口。

可选的，所述平面电极为公共电极，所述狭缝电极为像素电极。

本实用新型实施例提供了一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的任一所述的阵列基板。

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板平面电极和狭缝电极，其中，狭缝电极中至少一条狭缝在所述狭缝电极的至少一侧形成开口，减小了狭缝电极和平面电极的交叠面积，进而狭缝电极和平面电极的存储电容小，有利于狭缝电极和平面的充电。另外，狭缝在狭缝电极的一侧或两侧形成开口，则狭缝电极和平面电极在开口处形成电场，可用于驱动像素电极边缘以及相邻的两个像素电极之间位置处的液晶。且狭缝在狭缝电极上形成开口，减小了像素电极和公共电极的交叠面积，进一步可以减小公共电极和像素电极的存储电容。

附图说明

图1为现有的一种阵列基板示意图；

图2为图1所示阵列基板的驱动示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种阵列基板示意图；

图4为图3所示的阵列基板的驱动示意图；

图5为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板示意图。

附图标记；

11-栅线；12-公共电极线；13-数据线；14-公共电极；15-像素电极；151-狭缝；20-液晶；30-薄膜晶体管；31-栅极；32-源极；33-漏极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上平面电极、狭缝电极以及位于所述平面电极和狭缝电极之间的绝缘层，所述狭缝电极中至少一条狭缝在所述狭缝电极的至少一侧形成开口。

需要说明的是，所述狭缝电极中包括有多条狭缝。现有的阵列基板上同时设置平面电极和狭缝电极，则阵列基板上的平面电极和狭缝电极形成水平电场，用于驱动液晶进行偏转以实现显示。