[实用新型]光反射膜及光伏组件有效
| 申请号: | 201420202471.6 | 申请日: | 2014-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN203800064U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
| 发明(设计)人: | 倪健雄;蒋京娜;麻超;万志良;耿亚飞;韩帅;孙仲刚;李高非;王银明;李龙 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司;英利集团有限公司;国家电网公司;国网新源张家口风光储示范电站有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 反射 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种光反射膜及光伏组件。
背景技术
太阳能电池,也称光伏电池,是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且是可再生资源,所以在当今能源短缺的情形下,太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源。
单体太阳能电池不能直接做电源使用,必须将若干单体太阳能电池串、并联连接和严密封装成组件。光伏组件(也叫太阳能电池板)是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分,其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。但是现有的光伏组件的光电转换效率有待提高。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种光反射膜及光伏组件,提高了光伏组件的光电转换效率。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种光反射膜,包括:
基板;
设置于所述基板上的金属漫反射层;以及,
覆盖所述金属漫反射层表面的透明保护层。
优选的,所述基板为树脂板、纤维纸或云母片。
优选的,所述基板朝向所述金属漫反射层一侧为锯齿状。
优选的,所述金属漫反射层背离所述基板一侧为锯齿状。
优选的,所述基板的厚度范围为50μm~300μm,包括端点值。
优选的,所述金属漫反射层包括银和/或铝。
优选的,所述金属漫反射层的厚度范围为15μm~75μm,包括端点值。
优选的,所述透明保护层包括氮化铝、氧化铝、氧化硅、氮化硅、钛氮化硅、氮化钛、氧化锡和石墨烯中的一种或多种。
优选的,所述透明保护层的厚度范围为25nm~200nm,包括端点值。
优选的,还包括粘结层,所述粘结层设置于所述基板背离所述金属漫反射层一侧表面。
优选的,所述粘结层为聚氨酯粘结层、丙烯酸酯粘结层、环氧树脂粘结层、聚醋酸乙烯酯粘结层或脲醛树脂粘结层。
优选的,所述粘结层的厚度范围为10μm~50μm,包括端点值。
一种光伏组件,包括多个太阳能电池,以及设置于所述多个太阳电池受光面的多条焊带,还包括设置于所述焊带上的光反射膜,所述光反射膜为上述的光反射膜。
优选的,任意一所述太阳能电池为单晶体硅太阳能电池、类单晶太阳能电池、多晶硅太阳能电池或基于晶体硅的异质结太阳能电池。
与现有技术相比,本实用新型所提供的技术方案具有以下优点:
本实用新型所提供的光反射膜及光伏组件,光伏组件包括多个太阳能电池,在太阳能电池受光面的焊带上设置光反射膜,当太阳光照射至光反射膜时,会在光反射膜上发生漫反射,将入射光照向太阳能电池,提高了太阳能电池的受光强度,提高了光的利用率,进而提高太阳能电池的光电转换效率。
另外,本实用新型提供的光反射膜,透明保护层覆盖金属漫反射层表面,不仅可以保护金属漫反射层不受酸气、水汽等因素的腐蚀;而且还有效的避免了在光照升温和强电场作用下,金属漫反射层的金属原子激发而扩散到太阳能电池表面,进而造成光伏组件输出功率下降的情况发生,提高了光伏组件的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一提供的一种光反射膜的结构示意图;
图2为本申请实施例一提供的另一种光反射膜的结构示意图;
图3为本申请实施例二提供的一种光伏组件的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有的光伏组件的光电转换效率有待提高。
基于此,本实用新型提供了一种光反射膜,以克服现有技术存在的上述问题,包括:
基板;
设置于所述基板上的金属漫反射层;以及,
覆盖所述金属漫反射层表面的透明保护层。
本实用新型还提供了一种光伏组件,包括多个太阳能电池,以及设置于所述多个太阳电池受光面的多条焊带;
还包括设置于所述焊带上的光反射膜,所述光反射膜为上述的光反射膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





