[实用新型]一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备

权利要求书

1.一种OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，它主要包括一真空腔体系统和一控制系统；其特征在于所述的真空腔体系统（1）由装卸片台（11）、进出片室（12）、镀膜室（13）、缓冲室（14）依次连通组成，所述装卸片台（11）与进出片室（12）、进出片室（12）与工艺腔体（13）的连接处均设有插板阀（15）；所述的镀膜室（13）由减反射层工艺腔体（131）和Si工艺腔体（132）和ITO工艺腔体（133）三个工艺腔体构成；所述的镀膜室（13）设有侧面维修门、镀膜阴极、工艺气体系统及位置传感器；所述的镀膜阴极设在所述的侧面维修门上；所述的真空腔体系统（1）内部设有基底传送机构；所述的控制系统（2）主要由PLC构成。

2.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的进出片室（12）连接有由机械泵、罗茨泵组成的前级抽气系统（121）以及分子泵高真空抽气系统（122）；所述的缓冲室（14）连接有加热系统（16）以及所述的分子泵高真空抽气统（122）；所述装卸片台（11）进行基底交换，并由抽成高真空的进出片室（12）将基底自动传送到镀膜室（13）中。

3.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的ITO镀膜生产设备还包括：冷却水系统、供气系统、压缩空气系统，且它们分别被设置在真空腔体系统1下方。

4.根据权利要求1所述的OLED面光源专用的改进型ITO镀膜生产设备，其特征在于所述的减反射层工艺腔体（131）中的靶材采用铝及其合金，并在其中通入氩气或氮气作为工作气体，沉积减发射层；所述Si工艺腔体（132）中的靶材采用Si，并在其中通入氧气作为反应气体，中频溅射SiO2膜；所述ITO工艺腔体（133）中进行ITO膜层的制备；所述的缓冲室（14）中维系高真空度。