[实用新型]双极化阵列天线单元及低剖面高隔离度MIMO天线有效

专利信息
申请号: 201420194588.4 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN203967254U 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 邹光健;陈韶明 申请(专利权)人: 广州杰赛科技股份有限公司
主分类号: H01Q21/24 分类号: H01Q21/24;H01Q1/50
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫
地址: 510310 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 极化 阵列 天线 单元 剖面 隔离 mimo
【权利要求书】:

1.一种双极化阵列天线单元,其特征在于,所述双极化阵列天线单元具有两种极化方式的馈电点,每个馈电点通过与外部接头连接馈电,该双极化阵列天线单元包括多个辐射单元、分别与所述多个辐射单元对应连接的第一极化馈电网络和第二极化馈电网络,所述第一极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第一馈电端口,所述第二极化馈电网络与所述多个辐射单元连接的多个馈电端口为第二馈电端口,其中,相邻的所述第一馈电端口之间采用等幅同相馈电的连接方式,相邻的所述第二馈电端口之间采用等幅反相馈电的连接方式。 

2.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,所述双极化阵列天线单元为1*N的线性阵列单元,所述多个辐射单元为N个,其中,所述N为大于等于2的偶数。 

3.如权利要求2所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,所述N为2、4、6或8。 

4.如权利要求2所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,当所述N等于2时,位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为半个波长;当所述N大于2时,位于所述第二极化馈电网络的馈电点一侧的所述第二馈电端口与另一侧的所述第二馈电端口相位差为一个波长。 

5.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,所述双极化阵列天线单元为采用垂直+水平极化方式的天线单元,所述第一极化馈电网络为水平极化馈电网络,所述第二极化馈电网络为垂直极化馈电网络,所述第一馈电端口为水平馈电端口,所述第二馈电端口为垂直馈电端口。 

6.如权利要求5所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,位于所述水平极化馈电网络的馈电点同一侧的所述水平馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式,位于所述水平极化馈电网络的馈电点一侧的所述水平馈电端口与另一侧的所述水平馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式;位于所述垂直极化馈电网络的馈电点同一侧的所述垂直馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式,位于所述垂直极化馈电网络的馈电点一侧的所述垂直馈电端口与另一侧的所述垂直馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。 

7.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,所述双极化阵列天线单元为采用±45°极化方式的天线单元,所述第一极化馈电网络为+45°极化馈电网络,所述第二极化馈电网络为-45°极化馈电网络,所述第一馈电端口为+45°馈电端口,所述第二馈电端口为-45°馈电端口。 

8.如权利要求7所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,位于所述+45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述+45°馈电端口间采用等幅同相串馈的连接方式,位于所述+45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述+45°馈电端口与另一侧的所述+45°馈电端口之间采用等幅同相并馈的连接方式;位于所述-45°极化馈电网络的馈电点同一侧的所述-45°馈电端口间采用等幅反相并馈的连接方式,位于所述-45°极化馈电网络的馈电点一侧的所述-45°馈电端口与另一侧的所述-45°馈电端口之间采用等幅反相并馈的连接方式。 

9.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,所述双极化阵列天线单元为一体化天线单元,所述多个辐射单元、第一极化馈电网络和第二极化馈电网络通过铝合金冲压成一体。 

10.如权利要求1所述的双极化阵列天线单元,其特征在于,每一个所述辐射单元为正方形金属片,且边长为0.5个波长。 

11.一种低剖面高隔离度MIMO天线,其特征在于,包括底板、射频连接器、多个寄生单元以及如权利要求1~10中任一项所述的双极化阵列天线单元,所述射频连接器设于所述底板的底面,所述双极化阵列天线单元设于所述底板的表面,所述多个寄生单元分别对应连接所述双极化阵列天线单元的多个辐射单元。 

12.如权利要求11所述的低剖面高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述多个寄生单元、双极化阵列天线单元和底板通过金属支撑柱实现连接及固定。 

13.如权利要求11或12所述的低剖面高隔离度MIMO天线,其特征在于,所述双极化阵列天线单元与底板的距离为0.02~0.05波长,所述双极化阵列天线单元与所述多个寄生单元的距离为0.05~0.10波长。 

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