[实用新型]具有静电放电保护功能的功率芯片

权利要求书

1.具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，包括：控制器、开关组件和第一静电放电检测电路，所述开关组件包括高电平控制管和低电平控制管； 

功率电源为所述控制器、所述开关组件和所述第一静电放电检测电路供电；所述控制器和所述低电平控制管的输入端接电源地；所述控制器连接所述高电平控制管的控制端和所述低电平控制管的控制端，所述高电平控制管的输出端并联所述低电平控制管的输出端作为所述功率芯片的输出端，所述高电平控制管的输入端接功率电源，所述第一静电放电检测电路的静电信号输入端连接所述功率电源；所述第一静电放电检测电路的静电信号输出端连接所述控制器。 

2.如权利要求1所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述高电平控制管为PMOS管，所述PMOS管的栅极连接所述控制器，所述PMOS管的源极连接所述功率电源，所述PMOS管的漏极连接所述低电平控制管的输出端。 

3.如权利要求2所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述低电平控制管为NMOS管，所述NMOS管的源极接电源地，所述NMOS管的栅极连接所述控制器，所述NMOS管的漏极连接所述PMOS管的漏极。 

4.如权利要求2所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述PMOS管的源极与漏极之间并联一第一寄生二极管； 

所述第一寄生二极管的正极连接所述PMOS管的漏极，所述第一寄生二极管的负极连接所述PMOS管的源极。 

5.如权利要求3所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述NMOS管的源极与漏极之间并联一第二寄生二极管； 

所述第二寄生二极管的正极连接所述NMOS管的源极，所述第二寄生二 极管的负极连接所述NMOS管的漏极。 

6.如权利要求1所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，还包括：第二静电放电检测电路； 

所述第二静电放电检测电路的静电信号输入端连接所述功率芯片的输出端； 

所述第二静电放电检测电路的静电信号输出端连接所述控制器。 

7.如权利要求1所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述第一静电放电检测电路包括：电容、电阻和缓冲器； 

所述电容的一端作为所述第一静电放电检测电路的静电信号输入端； 

所述电容的另一端同时连接所述电阻的一端和所述缓冲器输入端； 

所述电阻的另一端接电源地； 

所述缓冲器的输出端作为所述第一静电放电检测电路的静电信号输出端。 

8.如权利要求6所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述第二静电放电检测电路包括：电容、电阻和缓冲器； 

所述电容的一端作为所述第二静电放电检测电路的静电信号输入端； 

所述电容的另一端同时连接所述电阻的一端和所述缓冲器输入端； 

所述电阻的另一端接电源地； 

所述缓冲器的输出端作为所述第二静电放电检测电路的静电信号输出端。 

9.如权利要求6所述具有静电放电保护功能的功率芯片，其特征在于，所述控制器包括控制单元和驱动单元，所述功率电源为所述控制单元和所述驱动单元，所述控制单元和所述驱动单元接电源地，所述控制单元连接所述驱动单元，所述第一静电放电检测电路的静电信号输出端连接所述驱动单元，所述第二静电放电检测电路的静电信号输出端连接所述驱动单元，驱动单元连接所述高电平控制管的控制端和所述低电平控制管的控制端。