[实用新型]超结器件有效
| 申请号： | 201420180475.9 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN204144264U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | W.凯因德尔;A.维尔梅罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 胡莉莉;王忠忠 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
1.一种超结器件，所述超结器件包括：
半导体主体，其具有第一表面；
第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；
漏极区，其毗连内区；
第二导电类型的基区，其部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；
包括多个单元的单元阵列：
其中，在单元阵列的第一组单元的每个单元中，第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面，
其中，在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积；以及
第二导电类型的补偿区域，其部署在半导体主体中并且毗连基区，并且具有变化的深度。
2.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
单元阵列的第二组单元中的至少一部分邻近超结器件的边缘。
3.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
单元阵列的第二组单元中的至少一部分对应于具有减少的深度的补偿区域的部分。
4.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
单元阵列的第二组单元中的至少一部分对应于具有增加的深度的补偿区域的部分。
5.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
补偿区域的掺杂浓度低于基区的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
补偿区域具有变化的宽度。
7.根据权利要求6所述的超结器件，其中，
补偿区域的宽度在朝着漏极区的方向上减小。
8.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
不同单元中的补偿区域的宽度不同。
9.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
内区的掺杂浓度是变化的。
10.根据权利要求9所述的超结器件，其中，
内区的掺杂浓度在朝着漏极区的方向上增加或减小。
11.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
单元阵列具有条纹形的单元。
12.根据权利要求11所述的超结器件，其中，
在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积的那部分源极区分布在条纹形基区的一侧或两侧。
13.根据权利要求12所述的超结器件，其中，
在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积的那部分源极区以虚线的方式分布。
14.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
单元阵列中的至少一部分单元以六边形的方式或正方形的方式布置。
15.根据权利要求1所述的超结器件，其中，
邻近超结器件的边缘的补偿区域具有在朝着超结器件的边缘的方向上减小的深度。
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