[实用新型]一种显示面板及显示装置有效
申请号: | 201420180274.9 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN203895462U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 杨明 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型属于显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显
示装置。
背景技术
近年来,平板显示装置成为目前的显示主流。目前的平板显示装置主要包括液晶(Liquid Crystal Display,简称LCD)显示装置、有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示装置和等离子显示装置等。
如图1所示为现有的液晶显示面板的结构示意图,其包括背光源9、彩膜基板(其主要包括第二基板6、黑矩阵5和红色彩膜层41、绿色彩膜层42、和蓝色彩膜层43)、阵列基板(其主要包括第一基板1、薄膜晶体管2)以及设置于彩膜基板和阵列基板之间的液晶3。
亮度是平板显示装置的一个重要参数,以液晶显示装置为例,为了增大亮度,一种方式是增大背光源亮度,然而,随着背光源亮度的提高,一方面带来背光源成本的提高,另一方面造成显示装置功耗的增加;另一种方式是提高光透过率,但目前,液晶显示装置实现全彩显示通常是依靠背光源与彩膜基板的结合来实现的,如图1所示的彩膜基板与背光源结合的方式,背光源中只有1/3光线得到利用,损失高达2/3,光效及光透过率均比较低。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种显示面板及显示装置,该显示面板具有较高的光透过率且光源利用率高,亮度增大。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是该显示面板,包括彩膜单元和光源,所述彩膜单元包括黑矩阵以及彩膜层,所述黑矩阵呈网格状分布、且未被所述黑矩阵覆盖的区域形成子像素区,所述彩膜层设置于所述子像素区内,所述彩膜层中设置有增光粒子,所述增光粒子具有受所述光源发出的白光中与所述彩膜层的颜色不同的光分量的激发发出与所述彩膜层颜色相同的激发光的性质,所述激发光与所述光源发出的白光经所述彩膜层的滤色作用后的出射光能共同射出所述显示面板。
优选的是,所述彩膜层包括红色彩膜层、绿色彩膜层和蓝色彩膜层,所述增光粒子包括绿色增光粒子和蓝色增光粒子,所述红色彩膜层中设置有所述绿色增光粒子和第一蓝色增光粒子,所述绿色增光粒子受绿光分量的激发发出红光,所述第一蓝色增光粒子受蓝光分量的激发发出红光;和/或,所述绿色彩膜层中设置有第二蓝色增光粒子,所述第二蓝色增光粒子受蓝光分量的激发发出绿光。
优选的是,所述绿色增光粒子的粒径范围为3.5-5.0nm,所述第一蓝色增光粒子的粒径范围为5.0-5.5nm;所述第二蓝色增光粒子的粒径范围为3.0-3.5nm。
优选的是,所述增光粒子采用包括II-VI族的CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe,以及III-V族的GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP或AlSb组成的纳米颗粒。
优选的是,所述增光粒子采用分子束外延法、金属有机化学气相沉积法、自组织生长模式或胶体化学方法形成。
优选的是,所述显示面板还包括驱动基板,所述彩膜单元与所述驱动基板相对设置,所述驱动基板与所述子像素区对应的区域设置有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管用于控制所述光源是否发光或发出的光是否射出所述彩膜层。
优选的是,所述薄膜晶体管为a-Si薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管或高温多晶硅薄膜晶体管。
优选的是,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述光源为白光有机发光二极管发出的光,所述白光有机发光二极管设置于所述驱动基板对应着所述子像素区的区域内,所述彩膜单元设置于所述白光有机发光二极管的出光侧,所述白光有机发光二极管的阳极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
优选的是,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述驱动基板对应着所述子像素区的区域内还设置有像素电极,所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;
所述光源为设置有LED灯的背光板,所述背光板设置于所述驱动基板远离所述彩膜单元的一侧,所述LED灯的发光面朝向所述驱动基板;
所述显示面板还包括液晶,所述液晶设置于所述彩膜单元与所述驱动基板之间。
一种显示装置,包括上述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的