[实用新型]电流调节装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术，尤其涉及到电流调节装置。

背景技术

在集成电路中，设置各种电流的准确度对于整个电路系统的内部损耗和输出的精度都有很大的影响，为此设计了电流动态调节装置调节所需要的电流进行恒定的输出。

发明内容

本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种可以电流动态调节的装置。

电流调节装置，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管、第四NPN管、第五NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管和第五PNP管：

所述第一电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极；

所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极，另一端接地；

所述第三电阻的一端接所述第一NPN管的发射极，另一端接地；

所述第四电阻的一端接所述第三NPN管的基极和所述第四NPN管的发射极，另一端接地；

所述第五电阻的一端接所述第五NPN管的基极和所述第四PNP管的集电极，另一端接地；

所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，集电极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，发射极接所述第三电阻的一端；

所述第二NPN管的基极接基准电压VREF，集电极接所述第一PNP管的集电极和基极和所述第二PNP管的基极，发射极接所述第二NMOS管的漏极和所述第三NPN管的发射极；

所述第三NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第四NPN管的发射极，集电极接所述第二PNP管的集电极和所述第四NPN管的基极和所述第五NPN管的集电极，发射极接所述第二NPN管的发射极和所述第二NMOS管的漏极；

所述第四NPN管的基极接所述第二PNP管的集电极和所述第三NPN管的集电极和所述第五NPN管的集电极，集电极接所述第三PNP管的基极和集电极和所述第四PNP管的基极和所述第五PNP管的基极，发射极接所述第三NPN管的基极和所述第四电阻的一端；

所述第五NPN管的基极接所述第五电阻的一端和所述第四PNP管的集电极，集电极接所述第二PNP管的集电极和所述第三NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极，发射极接地；

所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述第一NPN管的集电极和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源VCC；

所述第二PMOS管的栅极接所述第一NPN管的集电极和所述第一PMOS管的栅极和漏极，源极接电源VCC，漏极接所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极；

所述第一NMOS管的栅极接漏极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极，源极接地；

所述第二NMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极，源极接地，漏极接所述第二NPN管的发射极和所述第三NPN管的发射极；

所述第一PNP管的基极接集电极和所述第二PNP管的基极和所述第二NPN管的集电极，发射极接电源VCC；

所述第一电阻、所述第二电阻、述第三电阻、所述第一NPN管、所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管构成整个电路的偏置电路产生偏置电流；

所述第二PNP管的基极接所述第一PNP管的基极和集电极和所述第二NPN管的集电极，集电极接所述第三NPN管的集电极和所述第四NPN管的基极和所述第五NPN管的集电极，发射极接电源VCC；

所述第三PNP管的基极接集电极和所述第四NPN管的集电极和所述第四PNP管的基极和所述第五PNP管的基极，发射极接电源VCC；

所述第四PNP管的基极接所述第三PNP管的基极和集电极和所述第四NPN管的集电极和所述第五PNP管的基极，集电极接所述第五NPN管的基极和所述第五电阻的一端，发射极接电源VCC；

所述第五PNP管的基极接所述第三PNP管的基极和集电极和所述第四NPN管的集电极和所述第四PNP管的基极，集电极为所输出的电流，发射极接电源VCC；

所述第二NPN管、所述第三NPN管、所述第一PNP管、所述第二PNP管、所述第四NPN管、所述第三PNP管和所述第四电阻构成所需要的电流产生电路，所需要的电流值由VREF值和所述第四电阻的值来决定的；