[实用新型]具有积累效应的场效应晶体管

权利要求书

1.具有积累效应的场效应晶体管，包括场效应晶体管本体，其特征是，所述场效应晶体管本体主要由衬底层、n+层、外延层、硼离子区、氧化层、良导体、P-body区域、源区N+、P+区、金属塞、硼磷硅玻璃、金属薄膜和背金金属层组成；其中n+层位于衬底层的上方，外延层位于n+层的上方；外延层内开设有从外延层上部垂直延伸到外延层下部的沟槽，硼离子区设置在沟槽的底部外侧，氧化层附着在沟槽内侧的侧壁和底部上，良导体填充在附有氧化层的沟槽内；P-body区域置于外延层上方、沟槽的外侧；源区N+置于P-body区域的上方、沟槽的外侧；源区N+内开设有从源区N+上部垂直延伸到源区N+下部的接触孔，P+区设置在接触孔的底部外侧，在接触孔内填充金属塞；硼磷硅玻璃覆盖在源区N+和良导体的正上方；金属薄膜覆盖在金属塞和硼磷硅玻璃的正上方；背金金属层覆于衬底层的底部；良导体形成场效应晶体管本体的栅极，金属薄膜形成场效应晶体管本体的源极，背金金属层形成场效应晶体管本体的漏极。 

2.根据权利要求1所述具有积累效应的场效应晶体管，其特征是，沟槽底部生长的氧化层的厚度厚于沟槽侧壁生长的氧化层的厚度。