[实用新型]用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列有效
| 申请号： | 201420158238.2 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN203788271U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 陈云龑 | 申请（专利权）人： | 上海菱沃铂智能技术有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/38 | 分类号： | H03M1/38 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200070 上海市闸*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 sar adc 面积 dac 电容 阵列 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于SAR型ADC的小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列对应C-2C梯形电容网络电路，由多个重复单元水平紧凑排列形成；
每个重复单元包括位电容Cn、寄生电容Cp、阶间电容Cs和阶间并联电容Cx；所述的寄生电容Cp与位电容Cn共阳极，阴极接地；
所述的阶间并联电容Cx与阶间电容Cs并联后，一端与位电容Cn阳极连接，另一端与相邻侧重复单元的位电容Cn阳极连接；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均设有横向寄生电容Cx0；所述的位电容Cn之间和阶间电容Cs之间均存在纵向寄生电容Cp0。
2.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，相邻重复单元的位电容并联设置。
3.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列为8阶以上。
4.根据权利要求1所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，该DAC电容阵列采用C-2C梯形电容阵列排布，即位电容Cn＝C，阶间电容Cs＝2C。
5.根据权利要求4所述的一种小面积DAC电容阵列，其特征在于，所述的寄生电容Cp＝2Cp0，阶间并联电容Cx＝6Cx0。
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