[实用新型]一种药液喷嘴的清洗装置及清洗平台

说明书

技术领域

本实用新型属半导体晶片工艺技术领域，具体为一种药液喷嘴的清洗装置及清洗平台。

背景技术

在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶片制造工艺中所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的30％。

但在清洗工艺过程中，出现了一些问题，例如：如图1所示，药液喷嘴1喷射药液腐蚀晶片2表面，药液喷嘴1在距离晶片2表面大约3cm的位置处喷射药液。由于需要近距离的喷射晶片表面，药液很容易反溅到药液喷嘴上，长此以往药液结晶会累积在药液喷嘴上，在药液喷嘴移动或生产过程中，药液结晶会掉落在晶片表面，降低晶片质量，同时药液喷嘴上药液结晶也会在清洗机台内挥发，影响整个清洗机台内部的环境。

因此，避免药液喷嘴上残留的药液结晶影响硅片的质量成为本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

针对现有技术的不足之处，本实用新型的目的是提供一种药液喷嘴的清洗装置及清洗平台，避免药液喷嘴上残留的药液结晶影响硅片的质量。

本实用新型目的通过下述技术方案来实现：

一种药液喷嘴的清洗装置，所述药液喷嘴用于向晶片喷射药液，包括：

清洗槽，设置在清洗机台的一侧，其上部设有插入药液喷嘴的开口；

至少一个液体喷嘴，配置在清洗槽内向所述药液喷嘴喷射清洗液，所述液体喷嘴连接液体管路，且所述液体管路上设有阀门；

至少一个气体喷嘴，配置在清洗槽内向所述药液喷嘴喷射惰性气体，所述气体喷嘴连接气体管路，且所述气体管路上设有阀门；

排液管道，配置在清洗槽底部用于排出清洁后的清洗液；

其中，当清洗机台停止工作时，将药液喷嘴移动至所述清洗槽内，所述液体喷嘴与所述气体喷嘴对药液喷嘴清洗并吹干。

优选的，所述气体喷嘴位于所述液体喷嘴的上方。

优选的，所述液体管路连接清洗液存储单元。

其中，所述清洗液优选为去离子水。

优选的，所述气体管路连接惰性气体存储单元。

其中，所述惰性气体优选为氮气。

优选的，所述清洗槽内设有多个所述液体喷嘴或/且设有多个所述气体喷嘴。

优选的，所述液体喷嘴或/和所述气体喷嘴的在所述清洗槽内的水平方向上均匀配置。

优选的，所述气体喷嘴向下倾斜喷射惰性气体。

一种清洗平台,在清洗机台的侧边圆周方向上设有上述所述的药液喷嘴的清洗装置。

优选的，所述药液喷嘴相对于所述清洗机台可水平左右移动且竖直上下移动。

本实用新型通过在清洗槽内对药液喷嘴清洗并气体吹干，从而清洗药液喷嘴上残留的药液结晶，减少在药液喷嘴移动过程中或生产过程中药液 结晶掉落在晶片表面的可能，同时减少药液结晶在清洗机台内挥发的可能，保证清洗机台内部的环境，提高了晶片的质量。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有药液喷嘴喷射药液至晶片表面的结构示意图；

图2为本实用新型中药液喷嘴的清洗装置的结构示意图；

图3为本实用新型中清洗机台的结构示意图。

图中标号说明如下：

100、药液喷嘴；200、晶片；300、清洗装置；310、清洗槽；311、开口；320、液体喷嘴；330、气体喷嘴；340、排液管道；350、清洗液存储单元；360、惰性气体存储单元；370、阀门。

具体实施方式

以下将配合图式及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，藉此对本实用新型如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

如图2所示，本实用新型提供了一种药液喷嘴的清洗装置300，包括：清洗槽310，其上部设有插入药液喷嘴的开口311；至少一个液体喷嘴320，配置在清洗槽310内向所述药液喷嘴100喷射清洗液，所述液体喷嘴320连接液体管路，且所述液体管路上设有阀门370；至少一个气体喷嘴330，配置在清洗槽310内向所述药液喷嘴100喷射惰性气体，所述气体喷嘴 330连接气体管路，且所述气体管路上设有阀门370；排液管道340，配置在清洗槽310底部用于排出清洁后的清洗液。