[实用新型]用于原子层薄膜沉积的反应装置

权利要求书

1.一种用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，包括：反应沉积腔、反应排空腔和真空系统；所述的反应沉积腔设有菱形中空腔并与所述反应排空腔贯通，所述反应排空腔与所述真空系统连接，所述真空系统用于对所述反应排空腔进行抽气，进而使所述反应沉积腔处于真空状态；

其中，所述反应沉积腔内包括硅片承载单元、加热单元、前驱物进料单元、吹扫气体进气单元；

所述硅片承载单元设有若干个硅片承载位且所述硅片承载单元的底部设有若干通气孔，所述硅片承载单元上设有遮挡罩用于密封所述反应沉积腔；

所述加热单元设在所述反应沉积腔的四个腔壁外侧，用于对所述反应沉积腔进行加热；

所述前驱物进料单元用于对所述硅片承载单元上的硅片提供气态反应前驱物或对所述反应沉积腔内的气态反应前驱物进行吹扫；

所述吹扫气体进气单元用于对所述反应沉积腔与所述硅片承载单元间隙中的气态反应前驱物进行吹扫。

2.根据权利要求1所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述反应沉积腔四腔壁的壁厚相等且所述反应排空腔的左右腔壁上均设有所述加热单元。

3.根据权利要求1所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述反应沉积腔上顶角的两腔壁通过圆弧过渡连接，所述反应沉积腔的上顶角为70°～120°。

4.根据权利要求1所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述反应沉积腔内还包括加热气体进气单元，用于喷射热气体使所述硅片承载单元及硅片加热。

5.根据权利要求4所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述前驱物进料单元、所述加热气体进气单元及所述吹扫气体进气单元均为设有若干出气孔的管状体且相对于所述反应沉积腔可旋转。

6.根据权利要求5所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述前驱物进料单元的出气孔方向与其相邻的腔壁的夹角为30°～330°，所述加热气体进气单元的出气孔方向与其相邻的腔壁的夹角为30°～330°，所述吹扫气体进气单元的出气孔方向与其相邻的腔壁的夹角为0°～180°。

7.根据权利要求5所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述前驱物进料单元及所述加热气体进气单元上的出气孔在管状体上均匀分布且出气孔的分布范围覆盖各硅片，使出气孔内的气体可均匀的喷射至各硅片表面。

8.根据权利要求1所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述反应排空腔设有横截面为圆形的封闭腔，所述真空系统包括真空管路及真空泵，真空泵通过真空管路连接至所述反应排空腔。

9.根据权利要求8所述的用于原子层薄膜沉积的反应装置，其特征在于，所述反应沉积腔下侧中心位置处开设竖直向下的长方孔，且长方孔与所述反应排空腔的圆形封闭腔相交于长方孔的侧壁，所述长方孔连通所述反应沉积腔与所述反应排空腔。