[实用新型]发光模块及照明装置

说明书

相关申请案的参照

本申请案享有在2013年9月20日提出申请的日本专利申请案编号2013-196177的优先权的利益，该日本专利申请案的全部内容被引用到本申请案中。

技术领域

本实用新型的实施方式涉及一种发光模块(module)及照明装置。

背景技术

近年来，以发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为光源的照明装置逐渐普及。作为用于这种照明装置的LED，已知有如下构造的LED：例如在蓝宝石(sapphire)等透明的基材上设置包含GaN等的半导体层(发光层)，且利用包含荧光体的树脂覆盖基材及半导体层(发光层)。在这种构造的LED中，从发光层的基材侧的面放射的光透过透明的基材而向LED的外部放射。

此外，LED伴随着发光而产生热。当LED的温度上升时，会发生光量下降或树脂劣化等，所以必须抑制LED的温度上升。然而，在以往的LED中，如果以散热部件覆盖基材的周边，那么会阻碍透过基材的光，而使发光效率下降。因此，难以抑制LED的温度上升。

另外，近年来，也正在开发将硅等黑色的材料用于基材的LED。

实用新型内容

本实用新型要解决的问题在于抑制LED的温度上升。

实施方式的发光模块包括：半导体发光元件，包括由吸收光的材料形成且设置在基板上的基材、及设置在该基材上且发出光的发光层；以及散热部，设置在所述基材的周围，经由所述基材接收所述发光层发出的热并将所述热向所述基板释放。

在本实用新型的实施方式中，所述散热部是在所述基材中的除设置着所述发光层的面以外的两面以上与所述基材连接。

在本实用新型的实施方式中，所述基材为六面体，所述散热部与所述基材中除设置着所述发光层的面、及与设置着该发光层的面为相反侧的面以外的四面连接。

在本实用新型的实施方式中，所述散热部是使所述基材接合在所述基板上的接着剂，所述接着剂的热导率为0.3W／mK以上。

在本实用新型的实施方式中，所述接着剂覆盖所述基材的侧面的一半以上的面积。

在本实用新型的实施方式中，在所述接着剂使所述基材与所述基板接合的状态下，位于所述基材周边的所述接着剂的所述基板厚度方向上的长度长于将所述基材的厚度与所述发光层的厚度相加所得的长度。

在本实用新型的实施方式中，所述散热部是具有供所述基材嵌入的凹部的基板。

在本实用新型的实施方式中，所述基板厚度方向上的所述凹部的长度长于所述基材的厚度的一半的长度。

实施方式的照明装置包括：发光模块；以及点灯装置，对所述发光模块供给电力。所述发光模块包括：半导体发光元件，包括由吸收光的材料形成且设置在基板上的基材、及设置在该基材上且发出光的发光层；以及散热部，设置在所述基材的周围，经由所述基材接收所述发光层发出的热并将所述热向所述基板释放。

根据本实用新型，可期待抑制半导体发光元件的温度上升。

附图说明

图1是表示第一实施方式的照明装置的一例的立体图。

图2是表示第一实施方式的照明装置的一例的剖视图。

图3是表示第一实施方式的照明装置的电性连接关系的一例的概念图。

图4是表示第一实施方式的发光单元的构成的一例的图。

图5是表示第一实施方式的发光模块的一例的俯视图。

图6是图5中的发光模块的A-A剖视图。

图7是图6中的LED附近的放大图。

图8是表示第二实施方式的发光模块的一例的俯视图。

图9是图8中的发光模块的B-B剖视图。

图10是图9中的LED附近的放大图。

图11是表示第三实施方式的发光模块的一例的俯视图。

图12是图11中的发光模块的C-C剖视图。

图13是表示第四实施方式的发光模块的一例的剖视图。

图14是表示第五实施方式的LED附近的一例的图。

图15是表示第六实施方式的LED附近的一例的图。

图16是表示第七实施方式的LED附近的一例的图。

附图标记：

1：照明装置

2：装置主体(器具主体)

3：点灯装置

4a：第一插座

4b：第二插座

5：反射部件

5a：底板部

5b：侧板部

5c：端板

6：装饰螺钉