[实用新型]一种LED产品中的COB集成平面散热结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED产品中COB散热的技术领域，更具体的说是涉及一种LED产品中的COB集成平面散热结构。

背景技术

在通常LED产品中，电能输入的功率大概只有20～30％转换成光能传递出来，剩下70～80％的电能直接转换为热能。若无法及时散热出来，将会使LED产品的结面温度过高，进而影响产品生命周期、发光效率和稳定性。目前市场中传统的COB封装结构主要是采用将LED芯片集成封装在基板上，散热结构主要以垂直散热的结构为主。在基板进行LED芯片封装的方式中，由于LED芯片发热量大、热量集中在芯片点，且芯片散热的途径是以芯片点垂直向下为主，然后才会向芯片四周散热，当COB集成度更高，相同尺寸功率更大时，以上散热模式就无法满足更高集成度的COB封装，导致LED产品过热而减少生命周期、发光效率和稳定性等。

综上所述，如何能够提供更好的COB集成平面散热结构是本领域技术人员亟需解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种LED产品中的COB集成平面散热结构，包括：

金属基板；

压合在所述金属基板上的石墨层；

压合在所述石墨层上的铜箔层；

设置于所述铜箔层上的线路层和若干个LED芯片光源。

优选的，在上述的LED产品中的COB集成平面散热结构中，还包括设置于所述若干个LED芯片光源中间的反光镀银层。

优选的，在上述的LED产品中的COB集成平面散热结构中，所述若干个LED芯片光源(5)平均分布

优选的，在上述的LED产品中的COB集成平面散热结构中，所述石墨层的尺寸为19mm*19mm。

经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本实用新型公开提供了一种LED产品中的COB集成平面散热结构，本实用新型中，当LED芯片光源发光发热时，LED芯片光源的热量最先传导给正下方跟LED芯片光源直接接触的铜箔层，因其石墨层的导热率比铜的导热率高达3.8倍，所以LED芯片光源正下方的铜箔层吸收热量之后会优先向下传递给石墨层，当石墨层有某个点吸收有热量之后，热量会迅速的向平面传递并且以整个石墨层平面的方式继续向石墨层下面的金属基板散热，这样的程序使整个散热结构是非常快速高效的，相比于传统COB的散热模式相比，本实用新型可以提升2～3倍以上，进而也保证了LED产品不会因过热而减少生命周期、发光效率和稳定性等。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1附图为本实用新型的结构示意图。

在图1中，1为金属基板、2为石墨层、3为铜箔层、4为线路层、5为LED芯片光源。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

如图1所示：

本实用新型实施例公开了一种LED产品中的COB集成平面散热结构，包括：金属基板1；压合在所述金属基板1上的石墨层2；压合在所述石墨层2上的铜箔层3；设置于所述铜箔层3上的线路层4和若干个LED芯片光源5。

在本实施例中，最重要的一点是石墨层2，根据材料的性质，我们知道铜材向上下左右的导热系数在400W/MK左右，而石墨材料在水平方向的导热系数高达1500W/M-K，为铜材的3.8倍左右，因此利用石墨材料在水平方向的导热率非常高的这一特点，当LED芯片光源发光发热时，LED芯片光源的热量最先传导给正下方跟LED芯片光源直接接触的铜箔层，因其石墨层的导热率比铜的导热率高达3.8倍，所以LED芯片光源正下方的铜箔层吸收热量之后会优先向下传递给石墨层，当石墨层有某个点吸收有热量之后，热量会迅速的向平面传递并且以整个石墨层平面的方式继续向石墨层下面的金属基板散热，这样的程序使整个散热结构是非常快速高效的，相比于传统COB的散热模式相比，本实用新型可以提升效率2～3倍以上，进而也保证了LED产品不会因过热而减少生命周期、发光效率和稳定性等，所以本实用新型具有极大效率的散热能力。