[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在半导体基板上的沟道形成层；

在所述沟道形成层上的阻挡层；

在所述阻挡层和所述沟道形成层之间的界面处形成的二维电子气层；

与所述阻挡层处于被间隔开的关系的控制电极；以及

包含与所述二维电子气层欧姆接触并且不平行于沟道宽度方向的多个侧面的第一凹槽结构欧姆电极，其中与所述二维电子气层欧姆接触的所述第一凹槽结构欧姆电极的侧面具有波状形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述控制电极和所述阻挡层之间的栅极介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括包含与所述二维电子气层欧姆接触并且不平行于所述沟道宽度方向的多个侧面的第二凹槽结构欧姆电极，其中与所述二维电子气层欧姆接触的所述第二凹槽结构欧姆电极的侧面具有波状形状。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中具有所述波状形状的所述第一凹槽结构欧姆电极的侧表面与具有所述波状形状的所述第二凹槽结构欧姆电极的侧表面彼此面对。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一凹槽结构欧姆电极的所述波状形状对称于所述第二凹槽结构欧姆电极的所述波状形状。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述第一凹槽结构欧姆电极的所述波状形状不对称于所述第二凹槽结构欧姆电极的所述波状形状。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一凹槽结构欧姆电极具有连续的且大致矩形的形状。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述波状形状由多个圆形的突出部限定，每个所述突出部由圆形的凹进部分开。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中每个所述突出部具有在大约0.05微米与大约3微米之间的高度。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述高度为大约2微米。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述欧姆电极是高电子迁移率晶体管的源电极。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述欧姆电极是高电子迁移率晶体管的漏电极。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟道形成层包含GaN。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述欧姆电极包括钛、氮化钛、铝、镍、铂、金以及钨中的一个或多个。

15.一种半导体器件，包括：

第一层；

在第一层之上的第二层，所述第一层和所述第二层被配置为在所述第一层和所述第二层的界面处形成电子气层；

第一欧姆接触部；以及

延伸到所述第二层内的第一凹槽结构导电接触部，所述第一凹槽结构导电接触部被配置为将所述第一欧姆接触部电耦合到所述电子气层，所述第一凹槽结构导电接触部具有被配置为增加通过所述第一欧姆接触部的电流密度的具有波状形状的侧表面，所述波状形状具有大致圆形的突出部和大致圆形的凹进部。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括：

第二欧姆接触部；

延伸到所述第二层内的第二凹槽结构导电接触部，所述第二凹槽结构导电接触部被配置为将所述第二欧姆接触部电耦合到所述电子气层，所述第二凹槽结构导电接触部具有被配置为增加通过所述第二欧姆接触部的电流密度的具有波状形状的侧表面；以及

被设置在所述第一欧姆接触部与第二欧姆接触部之间的所述第二层之上的控制电极。

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

所述第一层包括III族氮化物缓冲层和沟道层；

所述第二层包括III族氮化物阻挡层；以及

所述第一凹槽结构导电接触部的所述波状形状不对称于所述第二凹槽结构导电接触部的所述波状形状。

18.一种半导体器件，包括：

包括III族氮化物的第一层；

在所述第一层之上的包括III族氮化物第二层，所述第一层和所述第二层被配置为在所述第一层和所述第二层的界面处形成电子气层；

第一欧姆接触部；

延伸到所述第二层内的第一凹槽结构导电接触部，所述第一凹槽结构导电接触部被配置为将所述第一欧姆接触部电耦合到所述电子气层，所述第一凹槽结构导电接触部具有被配置为增加通过所述第一欧姆接触部的电流密度的具有波状形状的侧表面，所述波状形状具有大致圆形的突出部和大致圆形的凹进部；

第二欧姆接触部；

延伸到所述第二层内的第二凹槽结构导电接触部，所述第二凹槽结构导电接触部被配置为将所述第二欧姆接触部电耦合到所述电子气层，所述第二凹槽结构导电接触部具有带有所述波状形状的侧表面，其中具有所述波状形状的两个侧面彼此面对；以及

在所述第一欧姆接触部和所述第二欧姆接触部之间的控制电极。