[实用新型]一种能增加记忆功能的英语学习枕

说明书

技术领域

本实用新型属于学习记忆辅助设备领域。

背景技术：

科学研究表明，当人类的脑波变慢，而每秒周期介于8到13次之间时，就会进入阿尔法波状态，这就是人类外在意识和潜意识的分界处，但并不分隔得十分明显。而在这种状态下，可以很容易地触及潜意识的记忆库，能让我们利用，来贮存和记忆外界的新信息。因此，利用浅层睡眠的阿尔法波状态学习英语，不但可以大幅提高记英文记忆力，还可以节省时间促进睡眠。

实用新型内容：

本实用新型的目的是提供一种能增加记忆功能的英语学习枕，能够在睡眠时辅助英语学习，记忆、背诵单词和课文，强调英语标准发音等。

本实用新型的技术方案为：一种能增加记忆功能的英语学习枕，包括中央控制器、TF模块、电源管理模块、RAM存储器、功放控制模块、TF卡槽、音量控制旋钮、扬声器、总开关，其中TF模块、RAM存储器和功放控制模块与中央处理器电信号连接，中央控制器、TF模块、RAM存储器和功放控制模块分别与电源管理模块电信号连接。

TF模块包括电阻R5，电容C4，TF卡槽，电阻R5一端连接电源正极，另一端与TF卡槽第5引脚连接，电容C4一端接地，另一端连接电源正极，TF卡槽第4引脚连接电源正极，第6引脚接地，第7、8、1、2、3、5引脚分别与中央控制器的D0、D1、D2、D3、CMD、CLK引脚连。

转换器U1为功放控制模块的核心元件，型号为LM4671，功放控制模块还包括电容C1、C2、C3，电阻R1、R2、R3、R4，扬声器S1，电阻R1一端连接转换器U1的IN+引脚，另一端连接电容C1，电容C1一端连接电阻R1，另一端接地，电阻R2一端连接转换器U1的IN1引脚，另一端连接电容C2，电容C2一端连接电阻R2，另一端连接中央控制器的OUT引脚，转换器U1的SD引脚连接中央控制器的SP引脚,转换器U1的2、4引脚接地，电阻R3一端连接转换器U1的VO1引脚，另一端连接扬声器S1，电阻R4一端连接转换器U1的VO2引脚，另一端连接扬声器S1，转换器U1的VO0、PVDD引脚连接电源VSP,电容C3一端连接电源VSP，另一端接地。

中央控制器的核心元件型号为MT6582m，RAM存储器的核心元件型号为K4B2G0846D，电源管理模块的核心元件型号为MT6305BN。

本实用新型的有益效果：1.一种能增加记忆功能的英语学习枕通过扬声器定时播放有助睡眠的含有α波的音乐和英语学习听力文件。2.通过TF卡更新播放文件，方便快捷。

附图说明：

为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1本实用新型系统简图。

图2本实用新外观简图。

图3本实用新型TF模块部分电路图。

图4本实用新型功放控制模块部分电路图。

图中：1-中央控制器 2-TF模块 3-电源管理模块 4-RAM存储器 5-功放控制模块6-TF卡槽 7-音量控制旋钮 8-扬声器 9-总开关。

具体实施方式：

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本实用新型。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本实用新型的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本实用新型的概念。

一种一种能增加记忆功能的英语学习枕，包括中央控制器、TF模块、电源管理模块、RAM存储器、功放控制模块、TF卡槽、音量控制旋钮、扬声器、总开关，其中TF模块、RAM存储器和功放控制模块与中央处理器电信号连接，中央控制器、TF模块、RAM存储器和功放控制模块分别与电源管理模块电信号连接。

TF模块包括电阻R5，电容C4，TF卡槽，电阻R5一端连接电源正极，另一端与TF卡槽第5引脚连接，电容C4一端接地，另一端连接电源正极，TF卡槽第4引脚连接电源正极，第6引脚接地，第7、8、1、2、3、5引脚分别与中央控制器的D0、D1、D2、D3、CMD、CLK引脚连.