[实用新型]废气处理装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种废气处理装置，特别涉及一种应用于原子层沉积、化学气相沉积、磁控溅射和气氛反应炉设备的尾气处理装置。

背景技术

真空镀膜行业发展迅速，原子层沉积(ALD)是一种最新的和最前沿的薄膜制备技术，也是一种用于纳米技术研究的方法。典型的原子层沉积是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。

原子层沉积(ALD)可归类于一种化学气相沉积技术。在该技术开发的初期，它被用于生产纳米叠加结构的绝缘体(A1₂O₃／TiO₂)和薄膜电致发光显示器(TFEL)的硫化锌(ZnS)发光膜。其后，原子层沉积逐渐成熟，如其在半导体等工业的广泛应用。今天原子层沉积技术已经应用到了各种各样的工业领域，其中包括光伏、光学、化学、水气阻挡层、有机印刷电子、珠宝保护和医疗行业一更多的工业领域正处于不断发展中。

原子层沉积(ALD)是基于表面控制的薄膜沉积技术。在镀膜过程中，两种或更多的化学气相前躯体依次在基底表面发生化学反应从而产生固态的薄膜。由于沉积是一个饱和反应过程，剩余的反应物如果不经过处理排放到大气中会造成环境污染。现有装置，吸附效率低，安装不方便，循环使用效果差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种构造简单，密封效果良好的废气处理装置。

为了实现上述目的，本实用新型设计了一种废气处理装置，包含由第一筒体和第二筒体构成的筒状外壳、设置在所述筒状外壳内的筒状内壳和固定板、分别设置在所述第一筒体和所述第二筒体上的入口法兰和出口法兰；其中，所述筒状内壳和所述固定板相对设置并采用固定杆进行连接；

所述废气处理装置还包含：设置在所述筒状内壳中的过滤筒；所述过滤筒包含N组并沿所述固定杆的轴心进行环形阵列，其中所述N为自然数，且所述筒状内壳的端部和所述固定板上对应所述过滤筒的安装位分别开设有与所述过滤筒导通的第一圆孔和第二圆孔。

本实用新型的实施方式相对于现有技术而言，结构简单，密封效果良好，废气可通过管道由入口法兰传送到筒状外壳内，然后由筒状内壳端面的圆孔进入过滤筒内，由过滤筒进行处理后，再由出口法兰带出，最后可经过机械泵等抽气装置将其进行排出，从而达到处理废气的目的。

其中，所述筒状内壳的端部对应所述第一圆孔设有第一定位件；所述第一定位件具有一个与所述第一圆孔形状相适配并插入所述第一圆孔内的第一突起部、一个抵在所述筒状内壳端面的第一凸缘部和一个与所述第一圆孔导通的第一中空部；其中，所述第一定位件的第一突起部至少有部分插入所述过滤筒内，由所述第一定位件的第一突起部对所述过滤筒在所述筒状内壳端面的安装位进行定位。而所述固定板对应所述第二圆孔设有第二定位件；所述第二定位件具有一个与所述第二圆孔形状相适配并插入所述圆孔内的第二突起部、一个抵在所述固定板端面的第二凸缘部和一个与所述第二圆孔导通的第二中空部；其中，所述第二定位件的第二突起部至少有部分插入所述过滤筒内，由所述第二定位件的第二突起部对所述过滤筒在所述固定板上的安装位进行定位。由于在筒状内壳的端面和固定板上设有定位件，通过定位件可对过滤筒进行固定和定位，从而确保了过滤筒在筒状内壳中固定的牢固性。

进一步的，所述废气处理装置还包含用于连接所述第一筒体和所述第二筒体的中心支架，所述中心支架至少有部分设置在所述第一筒体和所述第二筒体的结合部内，并与所述筒状内壳进行固定连接。由于第一筒体和第二筒体是通过中心支架进行固定连接，且中心支架有部分是延伸到第一筒体和第二筒体的内部并与筒状内壳进行固定连接，从而能够对筒状内壳在筒状内壳中的位置进行进一步固定。

进一步的，所述废气处理装置还包含两组套设在所述中心支架上，对所述中心支架进行加紧的半环形卡箍。通过两组半环形卡箍可对第一筒体和第二筒体进行加紧，以使筒状外壳内部的空间达到一个密封的效果，从而完成整个筒状外壳的装配。

附图说明

图1为本实用新型第一实施方式的废气处理装置的结构示意图；

图2为本实用新型第一实施方式的废气处理装置的装配图。

具体实施方式