[实用新型]同轴耦合器

说明书

技术领域

本实用新型涉及通讯耦合器，尤其涉及一种同轴耦合器。

背景技术

同轴功率耦合器类似无隔离的功率分配器，也可视作不等分二功率分配器的一种。其主要作用于微波信号按特定比例耦合或合成功率，是微波技术领域中常用的元件之一，多以同轴结构的形式出现。一般为在主传输线上增加一用于耦合输出的结构，实现从主传输线中分配特定的功率并从另一端口输出，输入功率与耦合输出功率之间的关系为耦合度。同轴功率耦合器的特点是结构简单，成载功率大、互调低等。

目前常见的较大耦合度的同轴结构的同轴功率耦合器，其耦合结构为设置一与主线垂直的空心圆柱，通过控制空心圆柱内径大小来控制耦合度。上述的耦合区域的结构缺陷导致在实现宽频或超宽频时耦合度的起伏较大。加入的使驻波比变小的匹配单元，易受耦合结构的影响，不能保证在宽频或超宽频时带宽内输入端口的驻波比小，因此，整个同轴耦合器耦合的效果较差。为此，有必要对上述的同轴耦合器进行进一步的改进。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种同轴耦合器，主要解决的是现在技术中的同轴耦合器在实现宽频或超宽频时耦合度的起伏较大，以及耦合效果差，不方便测试的问题。

本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种同轴耦合器，包括同轴线体以及与同轴线体垂直的连接器，所述同轴线体包括由内向外依次分布的第一内导体、第一绝缘体及第一外导体，所述第一绝缘体夹设于第一内导体与第一外导体之间，使第一内导体与第一外导体相互隔离；所述连接器包括第二外导体及第二内导体，所述第二内导体嵌设于第二外导体中且与第二外导体隔离；所述第二内导体与第一内导体间隔设置，且第二内导体与第一内导体相互垂直。

其中，所述第一内导体的长度小于第一外导体的长度，且所述第一绝缘体的长度小于第一内导体的长度。

其中，所述连接器的端口设有外螺纹。

其中，还包括第二绝缘体，所述第二绝缘体位于第一外导体及第一内导体之间。

其中，所述第一外导体上设有第三O型线圈，所述第一内导体上设有第二O型线圈，所述第二绝缘体上设有第一O型线圈。

其中，所述第一O型线圈、第二O型线圈以及第三O型线圈均为软性材料。

本实用新型的有益技术效果是：区别于现有技术中同轴耦合器在实现宽频或超宽频时耦合度的起伏较大，以及耦合效果差的问题，本实用新型提供了一种同轴耦合器，其主要包括同轴线体以及与同轴线体垂直的连接器，具体的，同轴线体包括由内向外依次分布的第一内导体、第一绝缘体及第一外导体，所述第一绝缘体隔离第一内导体与第一外导体；而连接器包括第二外导体及第二内导体，所述第二内导体嵌设于第二外导体中且与第二外导体隔离；所述第二内导体与第一内导体间隔设置，且第二内导体与第一内导体相互垂直，上述的连接器的第二外导体可与外部器件固定，而第一内导体直接与PCB板的接触电性连接，同轴线体有信号输入时，该信号主要由第一内导体传输，而与第一内导体间隔设置的第二内导体负责采集信号至其他部件，方便检测。第二内导体与第一内导体的位置稳定，使用时不易发生移位，并且有耦合起伏小，互调低，驻波比小等优点。

附图说明

图1是本实用新型同轴耦合器的结构示意图。

标号说明：

1-第一外导体，2-第一绝缘体，3-第一内导体，4-第二绝缘体，5-第一O型线圈，6-第二O型线圈，7-第三O型线圈，8-连接器，9-第二内导体。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请参阅图1，本实施方式一种同轴耦合器，包括同轴线体以及与同轴线体垂直的连接器8，所述同轴线体包括由内向外依次分布的第一内导体3、第一绝缘体2及第一外导体1，所述第一绝缘体2夹设于所述第一内导体3以及第一外导体之间，使第一内导体3与第一外导体1相互隔离；所述连接器8包括第二外导体及第二内导体9，所述第二内导体9嵌设于第二外导体中且与第二外导体隔离；所述第二内导体9与第一内导体3间隔设置，且第二内导体9与第一内导体3相互垂直。上述的连接器8的第二外导体有固定的效果，而第一内导体3直接与PCB板的接触电性连接，同轴线体有信号输入时，该信号主要由第一内导体传输，而与第一内导体3间隔设置的第二内导体9负责采集信号至其他部件，方便检测。