[实用新型]一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种应用在管路中的装置，尤其涉及一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置。

背景技术

一般铜电镀机台给化学机械平坦化（CMP）虚拟循环都会镀60K的铜膜供化学机械平坦化机台抛光大约6次。但电镀的薄膜越厚，其翘曲度也就越大，硅片吸附在真空吸盘上所受的应力也就越大；化学机械平坦化或电子电路保护装置（ECP）机台的虚拟大都是各组监控降级下来的晶圆，以电子电路保护装置虚拟为例，尤其是电子电路保护装置监控晶圆回收15次下坡下来的，然后再作为电子电路保护装置虚拟回收12次，那么类似这些晶圆的质量可能变差；以上的两种情况都可能导致晶圆在对准模块上的真空吸盘上受应力碎片，而为了减少碎片概率，现有技术大多暂时采取减少化学机械平坦化或电子电路保护装置虚拟回收次数，以及分布镀虚拟薄膜，但依旧不能杜绝碎片，以及需要花费大量时间来复机。图1为一种现有技术中机台真空管路结构示意图，其中，机台通过一真空管路与一对准模块和一盒式处理模块进行连接，机台连接的真空管路的一分支连接一晶圆处理模块。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提出一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，以解决上述晶圆受到真空吸盘的应力产生碎片，导致花费大量时间复机的问题。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述机台通过一真空管路与一对准模块进行连接，在所述真空管路上设置有至少一个调整装置，以调整所述真空管路中压力的大小。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述机台还通过另外两根真空管路分别与一晶圆处理模块和一盒式处理模块连接。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述机台为一PV机台。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述调整装置的数量为多个。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述对准模块内设有真空吸盘。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述真空吸盘上设有真空吸附口。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述对准模块内设有晶圆缺口检测单元。

上述半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其中，所述对准模块内设有种子检验单元。

本实用新型由于采用了上述技术，产生的积极效果是：

通过本实用新型的使用可以有效地解决机台晶圆破损情况的发生，增加铜电镀机台的生产量；同时通过这样的设计将晶圆的对准模块上的VAC吸盘上所受应力减小，使晶圆对其本身的翘曲度，质量的条件及限制减少，这样可以增加化学机械平坦化或电子电路保护装置虚拟等晶圆的回收次数、化学机械平坦化电镀的厚度，这样可以大大节约工艺成本。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中机台真空管路结构示意图；

图2为本实用新型的一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

实施例：

请参见图2所示，本实用新型的一种半导体工艺机台的对准模块的真空管路装置，其特征在于，机台通过一真空管路与一对准模块进行连接，在真空管路上设置有至少一个调整装置1，以调整真空管路中压力的大小。

本实用新型在上述基础上还具有以下实施方式，请继续参见图2所示，

本实用新型的进一步实施例中，机台还通过另外两根真空管路分别与一晶圆处理模块和一盒式处理模块连接。

本实用新型的进一步实施例中，机台为一光伏设备机台。

本实用新型的进一步实施例中，调整装置1的数量为多个。

本实用新型的进一步实施例中，对准模块内设有真空吸盘。

本实用新型的进一步实施例中，真空吸盘上设有真空吸附口。

本实用新型的进一步实施例中，对准模块内设有晶圆缺口检测单元。

本实用新型的进一步实施例中，对准模块内设有种子检验单元。

使用者可根据以下说明进一步的认识本实用新型的特性及功能，