[实用新型]一种前端开口硅片片盒有效
申请号: | 201420074436.0 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN203895419U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 李剑;蒋庆红;谭玉荣 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 前端 开口 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种半导体工艺设备技术领域,特别是涉及一种前端开口硅片片盒。
背景技术
在半导体制造过程中,在半导体制程完成后,将晶圆送交给客户时,为了减少对晶圆的颗粒污染,很多时候会使用作为密闭型的前端开口硅片片盒,称之为FOSB(Front Opening Shipping Box)。在将该前端开口硅片片盒交给客户之前,需要对其进行密封包装处理,以防止空气中的水汽或污染物进入前端开口硅片片盒对晶圆造成污染。现有技术中,一般都是将前端开口硅片片盒装入包装袋中,而后将装有前端开口硅片片盒的包装袋抽真空。但由于目前的前端开口硅片片盒盖上盒盖之后是密封的,当对其进行真空包装时,实际上只是将包装袋抽成真空了,前端开口硅片片盒内部的空气是无法抽出的,其内部并没有达到真空的效果,前端开口硅片片盒内部的空气依然存在,由于空气中存在有水汽,此时,如果晶圆产品10中含F量较高,其中的水汽就会导致这些含F量高的晶圆产品10产生结晶缺陷11,如图1a和1b所示,从而导致晶圆良率降低,甚至报废。
鉴于此,有必要设计一种新的结构以解决上述技术问题。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种前端开口硅片片盒,用于解决现有技术中由于前端开口硅片片盒盖上盒盖之后是密封的,当对其进行真空包装时,只能将包装袋抽成真空,而前端开口硅片片盒内部的空气是无法抽出的,其内部并没有达到真空的效果,前端开口硅片片盒内部的空气依然存在,由于空气中存在有水汽,此时,如果晶圆产品中含F量较高,其中的水汽就会导致这些含F量高的晶圆产品产生结晶缺陷,从而导致晶圆良率降低,甚至报废的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种前端开口硅片片盒,所述前端开口硅片片盒包含形成有用于存放晶圆腔体的本体、位于本体两侧内壁的搁片构件,以及位于所述本体正面的盖体,其特征在于,所述本体上设置有若干单向气流阀。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述单向气流阀设置于本体底部、上部、以及两侧侧壁未设置搁片构件的区域。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述单向气流阀至少包含:连通所述腔体与外界的气体通孔,位于所述气体通孔内的至少一组具有固定端和自由端的挡气片,位于所述挡气片固定端的固定装置和位于所述挡气片自由端、靠近所述腔体一侧的阻挡装置。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述气体通孔的截面为正方形、长方形或圆形。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述单向气流阀包含3~5组挡气片。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述挡气片为刚性薄片或弹性薄片。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述挡气片为正方形、长方形或圆形。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述挡气片的高度h1小于或等于所述气体通孔的高度h2。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述固定装置的高度h3小于或等于所述气体通孔的高度h2;所述阻挡装置的高度h4小于或等于所述气体通孔的高度h2。
作为本实用新型的前端开口硅片片盒的一种优选方案,所述挡气片的长度L1大于所述固定装置与所述阻挡装置之间的距离L2、且小于或等于气体通孔的长度L3。
如上所述,本实用新型的前端开口硅片片盒,具有以下有益效果:在所述前端开口硅片片盒所述本体上设置有若干单向气流阀,在对其进行真空包装时,可以保证其内部的气体被完全抽出,使其内部实现真正意义上的真空;同时,单向气流阀还能阻止外部空气进入前开口硅片片盒,使其内部的真空环境保持的更持久,这就有效地避免了晶圆产品产生结晶缺陷,从而避免了晶圆良率降低,甚至报废。
附图说明
图1a至1b显示为现有技术中前端开口硅片片盒中晶圆受水汽影响产生结晶缺陷的示意图。
图2a显示为本实用新型的前端开口硅片片盒的示意图。
图2b显示为本实用新型的前段开口硅片片盒中的单向气流阀沿图2a中AA’方向的截面俯视图。
图2c显示为本实用新型的前段开口硅片片盒中的单向气流阀沿图2a中BB’方向的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造