[实用新型]一种迷宫盘片的阻尼降速结构有效
申请号: | 201420070098.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN203703346U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 章华 | 申请(专利权)人: | 章华 |
主分类号: | F16K47/02 | 分类号: | F16K47/02 |
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地址: | 215026 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 迷宫 盘片 阻尼 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种阀门结构,具体涉及一种高压差阀门迷宫盘片的阻尼降速结构。
背景技术
迷宫式调节阀是一种高性能调节阀,在各类高压差多级节流调节阀中,迷宫式调节阀的节流降速、减振降噪以及减轻和消除气蚀破坏的效果最好。迷宫盘片是迷宫式调节阀的关键零部件,其上的迷宫形的流道能够让介质连续作90°的转向来消耗介质的动能,从而达到非常有效的减速降压差效果。
迷宫结构的高压差阀门目前已被正常应用到高达数十兆帕的高压差工况。从阀门的运行状况以及运用有限元流体分析软件进行模拟分析的结果来看,当阀门进出口端的压差高达数十兆帕(如△P≥25MPa)时,介质流速仍然会偏高,流道最窄处的流速会超过100m/s,甚至迷宫通道出口处的流速也会超过30m/s(产品设计愿意接受的最大流速),阀门仍然会产生一定的冲蚀、振动和噪音,甚至在特定的工况参数下也仍然会出现一定程度的气蚀破坏。
发明内容
为了克服现有的迷宫节流盘片在节流降速方面所存在的上述的不足之处,本实用新型提供了一种能够有效地提高迷宫盘片的节流降速效果的阻尼降速结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种迷宫盘片的阻尼降速结构,其主要技术关键在于:将迷宫盘片每条流道靠近流道出口端的一段流道的底平面或整条流道的底平面,设置为按一定规律排布的凹凸表面,该凹凸表面对介质的流动有阻尼作用。
作为上述的迷宫盘片的阻尼降速结构的一种较有效的应用,本实用新型并附加下述的技术方案:所述的凹凸表面为在流道的底平面上设置由若干个凸圆柱形或凸圆锥形构成的点阵。
作为上述的迷宫盘片的阻尼降速结构的一种较有效的应用,本实用新型还附加下述的技术方案:所述的凹凸表面为将流道的底平面设置为立体的网格状的表面。
本实用新型的有益效果是:能够在不增加迷宫节流通道的转弯级数,即在不增加盘片尺寸和阀门外形、重量和产品制造成本的前提下,有效地提高迷宫盘片的节流降速效果,从而使阀门具有更好的减振降噪、减轻或消除冲蚀、气蚀破坏的能力,以及具有更好的使用性能和更长的使用寿命。
附图说明
图1是本实用新型所提供的迷宫盘片的阻尼降速结构的一种实施方案的示意图--流道内凹凸表面为在流道的底平面上设置由若干个凸圆柱形或凸圆锥形构成的点阵。
图2是图1的流道结构的局部放大图。
图3是本实用新型所提供的迷宫盘片的阻尼降速结构的另一种实施方案的示意图--流道内凹凸表面为将流道的底平面设置为立体的网格状的表面。
图4是图3的流道结构的局部放大图。
图中,1、迷宫盘片;2、流道出口端;3、凹凸表面。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案作进一步的阐述。
如图1和图2所示,是本实用新型应用于一种高压差调节阀的迷宫盘片上,作为增加迷宫通道的流阻、降低流道流速的一种实施方案。该方案针对迷宫盘片(1)的流道,采用一定的成型工艺在流道的底平面形成均匀分布的、对介质的流动有阻尼作用的凹凸表面(3)---由若干个小的凸圆柱形或凸圆锥形构成的均布的点阵。
对于中小口径的调节阀来说,由于迷宫通道的宽度相对较窄,因此仅在每条流道靠近流道出口端(2)的一段流道的底平面(如图1、图2所示),设置小的凸圆柱形或凸圆锥形构成的均布的点阵,形成流道内具有阻尼降速作用的凹凸表面;对于口径较大的调节阀,则可以在整条流道的底平面设置起阻尼降速作用的凸圆柱形或凸圆锥形的点阵,使迷宫通道具有更好的节流降速效果。
如图3和图4所示,则是本实用新型所提出的迷宫盘片的阻尼降速结构的另一种实施方案,该方案将迷宫盘片(1)的流道的底平面设置为立体的网格状的表面来作为对介质的流动具有阻尼降速作用的凹凸表面(3)。同样,根据阀门口径的大小,可以仅在每条流道靠近流道出口端(2)的一段流道的底平面(如图3、图4所示)设置立体的网格状的表面,也可以在整条流道的底平面设置上述的立体的网格状的表面以使迷宫通道达到更好的节流降速效果。
以上结合附图对本实用新型的具体实施方式作了说明,但这些说明不能被理解为限制了本实用新型的范围。本技术领域的技术人员应该知晓,本实用新型不受上述实施例的限制,其保护范围由所附的权利要求书所界定,任何在不超出本实用新型权利要求书所界定的范围内的各种改动、变型所形成的技术方案,都没有偏离本实用新型的精神和技术实质,仍然会属于本实用新型的权利要求范围之内。
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