[实用新型]应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路有效
| 申请号： | 201420060214.3 | 申请日： | 2014-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN203798736U | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 武晓东;陈忠祥;王策;马玉婷;裴智果;钟金凤;严心涛;吴云良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;H01L31/107 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹毅 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 微弱 荧光 测量 雪崩 二极管 apd 高压 偏置 电路 | ||
1.在应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元（1），控制信号调理单元（2）、输出缓冲单元（4）和反馈单元（5），其特征在于，还包括无温漂放大单元（3），其中：
所述无温漂放大单元（3）主要包括两个互补的PNP型三极管（31）和第一NPN型三极管（33），其中所述PNP型三极管（31）的发射极连接所述第一NPN型三极管（33）的基极。
2.根据权利要求1所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述控制信号单元（1）包括温度测量芯片（11），所述信号调理单元（2）主要包括加法器（24），所述温度测量芯片（11）的输出端通过可调电阻（22）连接所述加法器（24）的反相输入端，所述加法器（24）的反相输入端还连接控制信号端Vctrl，所述加法器（24）的输出端还连接所述PNP型三极管（31）的基极。
3.根据权利要求2所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述可调电阻（22）的值根据雪崩二极管的温度系数调节，补偿随着温度变化而引起的雪崩二极管的增益的变化。
4.根据权利要求2所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述输出缓冲单元（4）包括一个第二NPN型三极管（41），所述第二NPN型三极管（41）的基极连接所述第一NPN型三极管（33）的集电极，所述反馈单元（5）包括分压电阻（51）和反馈电阻（52），所述反馈电阻（52）的一端连接所述第二NPN型三极管（41）的发射极，另一端分别连接所述加法器（24）的正向输入端和所述分压电阻（51），所述分压电阻（51）的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述分压电阻（51）可由两个或者多个电阻并联而成。
6.根据权利要求4所述的应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，其特征在于，所述反馈电阻（52）可由两个电阻或多个电阻串联而成。
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