[实用新型]一种外延生长时gap值的测量装置有效

专利信息
申请号: 201420051372.2 申请日: 2014-01-26
公开(公告)号: CN203733765U 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 董治辉;陈焱;苏晓华 申请(专利权)人: 西安神光安瑞光电科技有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/20
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 倪金荣
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 外延 生长 gap 测量 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于LED领域,主要涉及一种测量监控的装置,特别涉及一种外延生长时gap值的测量装置。

背景技术

为了保证外延机台生长后的外延片膜厚、波长、电压的均匀性,就需要保证机台的gap值(指耦合喷淋头3下表面与基座盘1的相对距离,如图3)保持稳定。现阶段用于生长LED外延片的外延机,是通过在基座盘上安装一个横向支架和高度测量仪,高度测量仪只有一个,高度测量仪固定在横向支架上,分别在A、A-B、B、B-C、C、C-A6个位置各测量1、2、3、4、5、6个点共计36个数据(如图1),通过计算后调节图3中的3个高度调节螺丝5,高度调节螺丝的设置位置如图5所示,3个高度调节螺丝构成一个圆形、且均设置在基座盘的底部,反复重复以上步骤,直到每一个位置测量的6个点的最大值和最小值的差在0.1mm之内即可。这种做法对操作人员的要求较高,螺丝调整幅度要掌握好,否则会浪费大量的时间在重复测量与螺丝调节当中。工艺生长过程所需要的源均由耦合喷淋头3的小孔6喷出(如图2),在耦合喷淋头与基座盘的空间中反应,反应物沉积在放置于基座盘上的晶圆片表面上,生长过程中也有泵将副产物抽走,如果整个平面的gap值不一致,将会导致衬底的均匀性不一样,最终导致产品质量不一致,严重时可使一炉中多数晶圆片报废。

实用新型内容

本实用新型提供一种外延生长时gap值的测量装置,解决了外延工艺中由于基座盘变形而引发工艺生长过程中gap值不稳定,从而导致工艺条件不稳定的问题。

本实用新型的技术解决方案如下:

一种外延生长时gap值的测量装置,包括架体,所述架体上设有千分计,所述千分计有n个,n个千分计按圆周均匀设置;n为大于或等于3的正整数。

上述n为3的倍数。

上述n等于6。

上述架体呈圆形。

本实用新型具有以下技术效果:

1、本实用新型可有效的快速检测并调整因基座盘的变形导致的工艺不稳定因素,减少不必要的成本浪费;

2、能有效的减少设备维护时间,提高机台的运行时间,最终有效的控制生长成本。

附图说明

图1为本实用新型调节gap值的原理图;

图2为耦合喷淋头小孔分布图;

图3设有耦合喷淋头的基座盘的结构示意图;

图4为本实用新型的使用状态侧视图;

图5是图4中A的局部放大图;

图6为本实用新型的结构示意图。

附图标记:

1-基座盘;3-耦合喷淋头;4-千分计;5-高度调节螺丝;6-小孔。

具体实施方式

本实用新型提供了一种外延生长时gap值的测量装置,参见图6,包括架体,架体呈圆形,架体也可以呈正方形、长方形或椭圆形。架体上设有千分计4,千分计有n个,n个千分计按圆周均匀设置;n为大于或等于3的正整数。为了保证测量结果的客观性,还为了节省测量时间,n为3的倍数,优选n等于6。

如图3和图4,耦合喷淋头3设置在基座盘1的上方,当使用本实用新型时,参见图4,将本实用新型放置在基座盘上,测量基座盘与耦合喷淋头之间的相对距离,根据千分计的显示数值,根据数值来判定基座盘的水平面变化量,若数值中任一两个数值之间的差值超过0.01mm,则调整基座盘底部的高度调节螺5,来补偿因为旋转过程中的机械变形以及高温低温的应力应变引起的基座盘变形,从而引起gap值变化导致工艺不稳定的变化。当数值中任一两个数值之间的差值均在0.01mm内,则完成耦合喷淋头与基座盘的调整。

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