[实用新型]减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片有效
| 申请号: | 201420050604.2 | 申请日: | 2014-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN203690312U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
| 发明(设计)人: | 康海涛;和江变;马承鸿;倪明镜;李健;贾影 | 申请(专利权)人: | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 于宝庆;刘春生 |
| 地址: | 010111 内蒙古*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 减反射膜 具有 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能利用技术领域,尤其涉及一种减反射膜及具有该减反射膜的太阳能电池片。
背景技术
随着科技的快速发展,晶体硅太阳电池及光伏系统的成本持续下降,已逼近常规发电。晶体硅太阳能电池具有制作工艺成熟、光电转换效率高、性能稳定、商业化程度高等优点,占整个光伏市场份额的约90%。常规太阳能级的多晶硅都用改良西门子法提纯技术,此技术成熟度高,生产的硅纯度高,但也存在产能低、对环境威胁大等缺点,最大问题是成本高。近些年发展起来的物理冶金法提纯多晶硅技术具有生产工艺简单、成本低、产能大和对环境友好的优点,有可能成为未来多晶硅太阳能电池材料的发展方向。
为了降低硅表面对光的反射,常规晶体硅太阳电池表面都要沉积氮化硅减反射膜,此膜同时还可起到表面钝化的作用,可钝化半导体表面和内部的悬挂键,降低态密度,有抗氧化、腐蚀、绝缘及阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽向半导体内部扩散等作用。
目前硅太阳电池的光谱响应一般在300nm~1200nm范围,电池主要利用此范围的太阳光。产业化通常利用PECVD(等离子增强化学气相沉积)沉积双层氮化硅薄膜作为多晶硅太阳电池的减反射及钝化薄膜,以替代原来的单层膜,常规工艺的第一层膜厚为30~35nm,折射率为2.6~2.8,第二层膜厚为50~55nm,折射率为2.0~2.2,总膜厚为85~90nm,折射率为2.0~2.1。虽然双层氮化硅膜明显改善了只有单层氮化硅薄膜带来的问题,增强了对光的减反射效果,使电池的短路电流得以提高,但双层氮化硅膜最大的问题是在短波方向的减反射效果差,所以必须不断改善及优化沉积工艺。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于解决现有技术中太阳能电池片存在的短波方向的减反射效果差的技术问题,提供一种具有三层膜结构的减反射膜。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种用于太阳能电池片的减反射膜,所述减反射膜包括:
第一层膜,覆盖于所述太阳能电池片的表面;
第二层膜,覆盖于所述第一层膜的上表面;以及
第三层膜,覆盖于所述第二层膜的上表面,所述第一层膜、所述第二层膜和所述第三层膜的总折射率为2.08~2.16,所述第一层膜、所述第二层膜和所述第三层膜的厚度之和为82~86nm,且所述第一层膜的折射率大于所述第二层膜的折射率,所述第二层膜的折射率大于所述第三层膜的折射率。
在本实用新型的减反射膜的一个实施方式中,所述第二层膜的厚度小于所述第一层膜的厚度和所述第三层膜的厚度。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第一层膜、所述第二层膜和所述第三层膜均为氮化硅膜。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第一层膜的厚度为24~28nm。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第一层膜的折射率为2.5~2.7。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第二层膜的厚度为10~15nm。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第二层膜的折射率为2.2~2.4。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第三层膜的厚度为40~50nm。
在本实用新型的减反射膜的另一个实施方式中,所述第三层膜的折射率为1.9~2.0。
另一方面,本实用新型还提供一种太阳能电池片,所述太阳能电池片的表面具有上述减反射膜。
再一方面,本实用新型还提供一种太阳能电池板,太阳能电池板内封装有上述太阳能电池片。
相比于现有技术,本实用新型的有益效果在于:
本实用新型的减反射膜在入射光整个波段有很低的反射率,明显改善了电池在短波方向的反射率,三层膜互补形成的薄膜起到良好的减反射效果,不但提高了电池对短波长光的吸收并为后续工序提供了较好的氢钝化效果。
附图说明
图1为本实用新型的减反射膜的结构示意图;
图2为本实用新型的减反射膜与现有技术的双层减反射膜的反射率曲线图。
其中,附图标记说明如下:
101 硅片基底
201 第一层膜
202 第二层膜
203 第三层膜
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学,未经内蒙古日月太阳能科技有限责任公司;内蒙古大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





