[实用新型]一种阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

设置在同一层的栅极和公共电极，或者设置在同一层的源漏极和像素电极，其中，

栅极和公共电极设置在同一层时，所述公共电极与所述栅极使用同一材料制作，且所述公共电极的厚度小于所述栅极的厚度，所述公共电极形成有多个狭缝，所述公共电极的透过率大于30%；

源漏极和像素电极设置在同一层时，所述像素电极与所述源漏极使用同一材料制作，且所述像素电极的厚度小于所述源漏极的厚度，所述像素电极形成有多个狭缝，所述像素电极的透过率大于30%。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，栅极材料或源漏极材料具体为Al、Cu、Mo、AlNd、Cr、Ti、Ag的单层金属膜或者多层复合膜，或者具有金属/介质一维光子晶体结构的复合膜。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极材料具体为Ag的单层金属膜，且

所述栅极的厚度为所述公共电极的厚度为

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极材料具体为包括ZnS、Ag、ZnS、Ag的复合膜，其中ZnS、Ag、ZnS、Ag沿着由基板指向复合膜的方向依次设置，且

所述栅极中ZnS、Ag、ZnS、Ag的厚度分别为所述公共电极中仅包括ZnS、Ag、ZnS层，厚度分别为

5.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极或像素电极的厚度为透过率为30%～90%。

6.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，公共电极和像素电极均形成有多个狭缝，且公共电极的狭缝与像素电极的狭缝平行。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极中的狭缝在基板上的投影，与像素电极中的狭缝在基板上的投影不重合。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的阵列基板。