[实用新型]一种高压可控硅他励驱动电源装置

权利要求书

1.一种高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，包括： 

开关电源，所述开关电源包括： 

第一整流单元，所述第一整流单元的输入端接市电； 

第一滤波单元，所述第一滤波单元的输入端与所述第一整流单元的输出端相连； 

DC/DC变换单元，所述DC/DC变换单元的输入端与所述第一滤波单元的输出端相连； 

电流型控制芯片，所述电流型控制芯片与所述DC/DC变换单元相连； 

单相逆变电路，所述单相逆变电路与所述开关电源相连，所述单相逆变电路包括：第一至第四金属氧化层半导体场效MOSFET晶体管，所述第一MOSFET管的漏极与所述开关电源和所述第二MOSFET管的漏极相连，所述第一MOSFET管的源级与所述第二MOSFET管的源级和所述第三MOSFET管的漏极相连，所述第三MOSFET管的源级与所述开关电源和所述第四MOSFET管的源级相连； 

电流环，所述电流环的一次侧与所述第二MOSFET管的源级和所述第四MOSFET管的漏极相连； 

门极驱动和保护电路，所述门极驱动和保护电路与所述电流环相连。 

2.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，所述DC/DC变换单元的输出电压为5V。 

3.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，所述单相逆变电路的输出信号的幅值为5V，周期为80微秒。 

4.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，还包括： 

移相型控制芯片和驱动芯片，所述移相型控制芯片和驱动芯片分别与所述单相逆变电路相连。 

5.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，所述电流环由高压电缆制成。 

6.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，还包括： 

DC/DC启动和关闭控制电路，所述DC/DC启动和关闭控制电路与所述DC/DC变换单元相连以控制所述DC/DC变换单元的启动和关闭。 

7.如权利要求1所述的高压可控硅他励驱动电源装置，其特征在于，还包括： 

第二整流单元，所述第二整流单元的输入端与所述电流环的二次侧相连； 

第二滤波单元，所述第二滤波单元的输入端与所述第二整流单元的输出端相连； 

稳压集成电路，所述稳压集成电路的输入端与所述第二滤波单元的输出端相连，所述稳压集成电路的输出端与所述门极驱动和保护电路相连。