[实用新型]晶片擦洗机

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术，尤其涉及一种晶片擦洗机。

背景技术

随着大规模集成电路的发展，集成度不断提高、线宽不断减小，对晶片的质量要求也更高，尤其是晶片表面质量。因为，晶片表面上的颗粒会严重影响期间质量和成品率。

半导体制造过程中很多工序后都要对晶片进行擦洗，以去除表面颗粒。图1为现有技术中的晶片擦洗机的结构示意图；如图1所示，晶片擦洗机的基体10上一般设置有擦洗仓11，基体10顶部对应于擦洗仓11前后分别形成进料台12和下料台13，擦洗仓11内设置有机械手和喷水装置。当需要进行晶片清洁时，可以在进料台12上放置装有晶片的晶片架，在下料台13上放置一未放置晶片的晶片架，然后启动晶片擦洗机，使擦洗仓11内的机械手将进料台12上晶片架内的晶片取下、并移至擦洗仓11内，在擦洗仓11内，喷水装置对晶片喷水、擦洗后，由机械手将晶片移出至下料台13上的晶片架中，至此，完成了一个晶片的擦洗过程。后续，重复上述过程对进料台12上的晶片架中的晶片一一擦洗并最终完全转移至下料台13上的晶片架中。

虽然现有技术中的晶片擦洗机可以进行擦洗、减少颗粒，但是，擦洗仓前、后的上料台和下料台均处于开放环境中，会导致晶片架中晶片的颗粒增加尤其位于顶层的晶片会附着较多颗粒，引发晶片颗粒量超标，影响擦洗后的晶片质量。

实用新型内容

针对现有技术中的上述缺陷，本实用新型提供一种晶片擦洗机，减小附着在晶片上的颗粒量，从而提高晶片质量。

本实用新型提供一种晶片擦洗机，包括：基体，所述基体具有一水平的顶面，所述顶面上设置有擦洗仓，在所述擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；所述擦洗仓外罩设有防护罩，且所述进料台和下料台均位于所述防护罩的内部；所述防护罩顶面上开设有第一通气孔，所述防护罩底部与所述基体顶面之间形成第二通气孔。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩呈长方体状，所述进料台、擦洗仓和下料台在所述防护罩内沿防护罩的长度方向顺次排列。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩的侧壁底面形成有凹槽，所述凹槽与所述基体的水平顶面形成所述第二通气孔。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述第一通气孔为至少两个，每个所述第一通气孔包括排列呈菱形的多个通孔，且相邻的所述通孔之间通过通槽连通。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述防护罩顶部还设置有用于滤去外部颗粒的过滤装置。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述基体的顶面上并排设置有至少两个擦洗仓，每个所述擦洗仓的前、后两侧分别形成所述进料台和下料台；所述防护罩与所述擦洗仓数量相同，且每个所述擦洗仓及对应的所述进料台和下料台位于同一所述防护罩内。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，在所述防护罩内、且在所述擦洗仓入口侧和出口侧分别设置有一晶片架，两个所述晶片架的晶片抽出口相对、且分别朝擦洗仓设置。

如上所述的晶片擦洗机，优选地，所述晶片架内插设有用于挡住下方的晶片的挡片。

本实用新型提供的晶片擦洗机，通过在擦洗仓及前、后进料台和下料台上方设置有防护罩，在有效防止外界杂质颗粒进入到晶片擦洗环境中的同时，还能利用由顶部进入防护罩、底部流出的气体带走内部的颗粒，有效减小了内部颗粒量，进而减小了擦洗后残存在晶片表面的颗粒量，大大提高了晶片擦洗质量。

附图说明

图1为现有技术中的晶片擦洗机的结构示意图；

图2为本实用新型晶片擦洗机实施例的结构示意图；

图3为图2的俯视图；

图4为图3中A向视图；

图5为图4中Ⅰ处的放大图；

图6为图2中晶片架的结构示意图。

具体实施方式

图2为本实用新型晶片擦洗机实施例的结构示意图；图3为图2的俯视图；请参照图2和图3，本实施例提供一种晶片擦洗机，包括：基体20，基体20具有一水平的顶面，顶面上设置有擦洗仓，在擦洗仓的入口侧和出口侧分别形成进料台和下料台；该擦洗仓外罩设有防护罩，且上述进料台和下料台均位于防护罩3的内部，且防护罩3顶面上开设有第一通气孔31，防护罩3底部与基体10顶面之间形成第二通气孔32。