[实用新型]一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及微机械加工的光刻工艺技术领域，尤其涉及一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置。

背景技术

在微机械工艺中，光刻基片经湿法腐蚀或干法刻蚀后制作有镂空结构，进一步进行图形制作时，多采用喷涂胶和光刻的方式实现。现有光刻机的吸盘有边缘吸附和整片吸附两种，整片吸附适合于表面完整的光刻基片，边缘吸附适合于制作有镂空结构的光刻基片。而制作镂空结构的光刻基片光刻时若只有边缘吸附，易造成基片内部的翘曲，降低光刻的精度；若参照吸盘的吸附结构对光刻基片上的器件进行布局，将导致光刻基片面积利用率和布局灵活性下降；若参照光刻基片布局对吸盘吸附结构重新设计，成本高且操作麻烦；并且由于吸盘的精度要求较高，因此根据每一种基片分别制作一个吸盘，就会大大增加生产成本。

实用新型内容

针对现有技术存在的上述不足，本实用新型的目的就在于提供一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，适用于多种光刻基片，并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度，同时降低生产成本。 

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是这样的：一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，其特征在于：该基体为硬质片状结构，在基体上开设有若干通孔；其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。

进一步地，所述外围通孔为两圈：外环通孔和内环通孔，所述外环通孔靠近基体的边缘，所述内环通孔位于中心通孔与外环通孔之间。采用外环通孔与内环通孔的结合，从而使光刻基片与基体的贴附效果更好，从而确保光刻基片的平整度，进而提高光刻精度。

进一步地，所述外环通孔与内环通孔分别均匀分布在所在圆周上。这样能够使光刻基片收到的吸附力更加均衡，从而进一步提高光刻基片的平整度。

进一步地，所述通孔呈圆形、矩形或三角形。使结构简单，加工方便。

进一步地，所述基体的材质为硅或者石英。加工方便，成本低廉，并使基体表面平整度更高，从而使光刻基片能更好地与基体贴附。

与现有技术相比，本实用新型具有如下优点：结构简单，使用方便，只要基体上的通孔与光刻基片上的镂空位置错开，即可使用，从而使本装置能够适用于多种光刻基片，使用范围更广；并且能够保证光刻基片在光刻过程中的平整度，从而提高光刻基片的光刻精度；同时，只需根据需要更换本辅助装置，而无需更换吸盘，不仅使用方便，并且能有效降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的结构示意图；

图2为本实用新型实施例2的结构示意图。

图中：1—基体，21—中心通孔，22—外环通孔，23—内环通孔。

具体实施方式

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

实施例：一种降低光刻基片吸附翘曲度的辅助装置，包括基体，所述基体的形状与光刻基片的形状一致，即：基体整体呈圆盘结构，在基体的边缘具有一切边（其一侧形成一直边）。该基体为硬质片状结构，制作时，所述基体的材质为硅或者石英；成本低廉，且加工方便，并使基体表面平整度更高，从而使光刻基片能更好地与基体贴附。在基体上开设有若干通孔，其中，所述通孔包括一位于基体中部的中心通孔和至少一圈呈环形分布于中心通孔周围的外围通孔；具体实施时，所述外围通孔可以为一圈，也可以为多圈，根据实际的光刻基片的结构进行加工；且位于最外侧的一圈外围通孔靠近基体的边缘。所述中心通孔和外围通孔均与光刻基片上的镂空结构错位设置。所述外围通孔均匀分布在所在圆周上；这样能够使光刻基片收到的吸附力更加均衡，从而进一步提高光刻基片的平整度。

具体加工时，所述通孔呈圆形、矩形或三角形；使结构简单，加工方便。所述通孔的加工可采用微机械工艺加工、激光加工、超声加工、传统机械加工；从而使加工更方便、快捷，且减少基体本身所受到的损伤。

在光刻工艺环节，将本辅助装置安放到光刻机吸盘上，而后将待光刻且制作有镂空结构的光刻基片与该辅助装置对齐并放置到该辅助装置上；然后从内到外依次开启中心通孔和外围通孔所连接的真空吸附通道，完成基片吸附；从而有效地将光刻基片进行吸附，且能够有效降低光刻基片吸附时的翘曲度。