[实用新型]一种校准装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体设备领域，涉及一种校准装置，特别是涉及一种用于离子注入机台的离子源校准装置。

背景技术

离子注入技术是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术，其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料性能，或获得某些新的有益性能，此项高新技术由于其独特而突出的有点，已经在半导体材料掺杂等领域获得了即为广泛那的应用，取得了巨大的经济效益和社会效益。

离子注入工艺在离子注入机台中完成，而离子注入机台中，离子源和离子萃取部件的作用非常重要。通过离子源内部的灯丝产生离子，再通过离子萃取部件中的阴极将离子源中产生离子拉取出来，最后将这些离子打到晶圆上。一般，需要对离子源进行周期性的性能维护，在性能维护周期内对离子源进行组装时，离子源很容易发生倾斜，导致工艺中离子从离子源出来后会直接打到离子萃取部件的外部表面，而只有少量的离子通过离子萃取部件的狭缝进入离子萃取部件，这样将会影响到晶圆中离子注入的质量。

因此，提供一种离子注入机台离子源的校准装置实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种校准装置，用于解决现有技术中安装离子源时发生离子源倾斜的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种校准装置，用于对离子注入机台的离子源和离子萃取部件进行校准，其特征在于，所述校准装置至少包括：主校准支架和辅助校准件；

所述主校准支架具有前壁、后壁、及侧壁；所述前壁、后壁及侧壁围成容置所述离子源的容置空间；所述前壁中设置有通孔；所述离子源具有第一狭缝；

所述辅助校准件插设于所述通孔中；所述辅助校准件上具有第二狭缝，所述第二狭缝与所述第一狭缝对齐，完成所述离子源和离子萃取部件的校准。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述通孔与辅助校准件的形状和尺寸相匹配。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述离子源固定于所述主校准支架的后壁上。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述离子源的中心轴线与前壁及后壁均垂直。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述第一狭缝位于所述离子源前端的中心位置。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述辅助校准件截面呈T字形状。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述第二狭缝贯穿所述辅助校准件。

作为本实用新型的校准装置的一种优化结构，所述主校准支架和辅助校准件均为不锈钢材质。

如上所述，本实用新型的校准装置，包括主校准支架和辅助校准件；所述主校准支架具有前壁、后壁、及侧壁；所述前壁、后壁及侧壁围成容置所述离子源的容置空间；所述前壁中设置有通孔；所述离子源具有第一狭缝；所述辅助校准件插设于所述通孔中；所述辅助校准件上具有第二狭缝，所述第二狭缝与所述第一狭缝对齐，完成所述离子源和离子萃取部件的校准。本实用新型的校准装置，能够保证离子源和离子萃取部件在同一水平线上，使离子顺利拉入离子萃取部件中，进而保证离子注入的注入质量。本实用新型的校准装置结构简单，适用于工业化生产。

附图说明

图1为本实用新型的校准装置的主校准支架的俯视图。

图2为本实用新型的校准装置的主校准支架的侧视图。

图3为本实用新型的校准装置的主校准支架的正视图。

图4为本实用新型的校准装置的主校准支架的后视图。

图5为本实用新型的校准装置的辅助校准件的俯视图。

图6为本实用新型的校准装置的辅助校准件的左视图。

图7为本实用新型的校准装置的辅助校准件的侧视图。

元件标号说明

10               主校准支架

101              前壁

1011             通孔

10111            第一通孔

10112            第二通孔

102              后壁

103              侧壁

104              容置空间

105              离子源