[实用新型]晶圆背面清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及到一种晶圆背面清洗装置。

背景技术

随着集成电路（IC）制造中关键尺寸的不断缩小，硅片在进入每道工艺之前表面必须是洁净的，需经过重复多次清洗步骤，去除硅片表面的颗粒、有机物、金属及自然氧化层等类型的沾污，其清洗次数取决于晶圆设计的复杂性和互连的层数。目前，湿法化学清洗技术是半导体IC工业的主要清洗技术，湿法化学清洗主要是利用溶液、酸碱、表面活性剂、水及其混合物，通过腐蚀、溶解、化学反应等方法，实现某种功能要求或去除晶片表面的玷污物。但是仅仅凭借去离子水的冲洗，有些尺寸比较小的颗粒仍然无法彻底清洗干净，导致未进行彻底清洗干净的晶圆进行曝光时，显影出现模糊的现象，极大的影响了晶圆的产品良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆背面清洗装置，以解决现有技术中晶圆光刻环节对于晶圆背面清洗不够干净，导致晶圆的产品良率下降的现象。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆背面清洗装置，包括：一晶圆托盘、一传送导管、一清洗液喷头、一去离子水喷头、一晶圆清洗刷及一晶圆干燥刷；其中所述传送导管内嵌套一清洗液传送导管及一离子水传送导管；所述清洗液传送导管输入端设置于所述晶圆托盘上，其输出端安装有所述清洗液喷头；所述清洗液喷头的开口垂直朝向所述晶圆托盘，在平行于所述晶圆托盘的平面内，能够沿所述晶圆托盘的直径方向左右扫描；所述去离子水传送导管输入端设置于所述晶圆托盘上，其输出端安装有所述去离子水喷头；所述去离子水喷头的开口垂直朝向所述晶圆托盘，在平行于所述晶圆托盘的平面

内，能够沿所述晶圆托盘的直径方向左右扫描；所述晶圆清洗刷及所述晶圆干燥刷均设置于所述晶圆托盘上。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述清洗液喷头内部设置有第一喷管，所述第一喷管与所述清洗液传送导管连接，所述第一喷管呈喇叭状。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述去离子水喷头内部设置有第二喷管，所述第二喷管与所述去离子传送导管连接，所述第二喷管呈喇叭状。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述传送导管为刚性材料。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述清洗液传送导管为刚性材料。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述去离子水传送导管为刚性材料。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述传送导管的输入端为自由端。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，清洗液自清洗液传送导管的输入端输入，自清洗液传送导管的输出端输出。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，去离子水自去离子水传送导管的输入端输入，自去离子水传送导管的输出端输出。

可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述晶圆托盘的形状为方形，所述晶圆清洗刷与所述晶圆干燥刷设置于所述晶圆托盘的不同侧边上。

在本实用新型所提供的晶圆背面清洗装置中，通过设置清洗液传导管、清洗液喷头、去离子水传导管、去离子喷头，在对晶圆背面进行清洗操作时，对晶圆背面进行多重不同液体的清洗，确保晶圆背面的微小颗粒彻底的清洗干净，有效的避免了晶圆背面还残留有污染物，提高了产品良率。

附图说明

图1是本实用新型晶圆背面清洗装置的结构示意图；

图2是本实用新型晶圆背面清洗装置中清洗液喷头的剖面图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶圆背面清洗装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。