[实用新型]一种半导体器件检测用温度控制装置有效
申请号: | 201420015876.9 | 申请日: | 2014-01-10 |
公开(公告)号: | CN203689187U | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 闫稳玉;马乃峰;成涛 | 申请(专利权)人: | 科达半导体有限公司 |
主分类号: | G05D23/24 | 分类号: | G05D23/24 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 257091 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 检测 温度 控制 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制作工艺技术领域,更具体地说,涉及一种半导体器件检测用温度控制装置。
背景技术
半导体器件由于其优良的热学、电学、力学和化学特性,以及体积小、重量轻和功耗低等优点,被广泛应用于计算机、通讯以及电子控制等领域,为人们的日常生产生活带来了巨大的便利。半导体器件根据其用途需要工作在不同的温度条件下,为了判断半导体器件在其规定的温度环境的工作状况,需要在其对应的工作温度下对其输出特性进行检测。
对于许多半导体器件,一般需要工作在较高温度下(室温~260℃),所以在对半导体器件进行输出特性检测时需要对待测半导体器件进行加热。因此,为了保证测试结果较为准确需要控制半导体器件处于其特定的工作温度,以测试其在该温度下的性能。但是,目前很多测试设备并不具备控温功能。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种半导体器件检测用温度控制装置,该装置能够控制半导体器件检测时的温度,使待检测半导体器件的温度在其检测温度范围内保持稳定,从而保证测量结果的准确性。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
发热组件;
设置在所述发热组件上方的导热板,所述导热板与所述发热组件密接;
贴附于所述导热板上方的绝缘导热膜;
控制模块,所述控制模块用于控制所述发热组件将所述待检测半导体器件加热至检测温度,并在检测阶段采集所述待检测半导体器件的温度值,并根据所述温度值控制所述发热组件的产热,以保证所述待检测半导体器件的温度稳定于所述检测温度。
优选的,上述装置中,所述控制模块包括:
温度传感器,所述温度传感器密接于所述绝缘导热膜上表面用于采集所述绝缘导热膜的温度值,进而获得所述待检测半导体器件的温度值;
温控仪,所述温控仪根据所述温度值输出控制信号;
继电器,所述继电器根据所述控制信号提供电源给所述发热组件,以控制所述发热组件的产热。
优选的,上述装置中,所述温度传感器为贴装热敏电阻。
优选的,上述装置中,所述发热组件为PTC电热板。
优选的,上述装置中,所述导热板为铝制导热板。
优选的,上述装置中,所述发热组件及所述导热板通过固定螺栓进行密接。
优选的,上述装置中,所述装置在对所述待检测半导体器件进行加热检测时,通过固定螺栓将待测半导体器件密接于所述绝缘导热膜上。
优选的,上述装置中,所述装置在对所述待检测半导体器件进行加热检测时,通过弹片将待测半导体器件密接于所述绝缘导热膜上。
优选的,上述装置中,所述绝缘导热膜为环氧树脂胶膜。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的半导体器件检测用温度控制装置包括:发热组件;设置在所述发热组件上方的导热板,所述导热板与所述发热组件密接;设置在所述导热板上方的绝缘导热膜,所述绝缘导热膜与所述导热板密接;控制模块,所述控制模块用于控制所述发热组件将所述待检测半导体器件加热至检测温度,并在检测阶段采集所述待检测半导体器件的温度值,并根据所述温度值控制所述发热组件的产热,以保证所述待检测半导体器件的温度在其检测温度范围内保持稳定。
在进行半导体器件检测时,首先通过所述控制模块控制所述发热组件将所述待检测半导体器件加热至检测温度,在检测阶段为所述待检测半导体器件进行通电测试其输出特性时,通过所述控制模块随时测量所述待检测半导体器件的温度值,并根据所述温度值控制所述发热组件的产热,以保证所述待检测半导体器件的温度稳定于所述检测温度。因此,该装置能够控制半导体器件检测时的温度,使待检测半导体器件的温度在其检测温度范围内保持稳定,从而保证测量结果的精确。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型所提供的一种半导体器件检测用温度控制装置的结构示意图;
图2为本实用新型所提供的另一种半导体器件检测用温度控制装置的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术部分所述,现有的半导体器件检测装置不具有控温功能,从而导致半导体的实际温度与其检测温度(检测时应具有的温度),相差较大,导致测量结果的不精确。
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