[实用新型]一种光纤F-P腔式动高压传感器有效
| 申请号: | 201420011664.3 | 申请日: | 2014-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN203643078U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
| 发明(设计)人: | 余尚江;陈晋央;杨吉祥;郭士旭;周会娟;贾超;黄刘宏 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所 |
| 主分类号: | G01L11/02 | 分类号: | G01L11/02;G01L23/00 |
| 代理公司: | 郑州中民专利代理有限公司 41110 | 代理人: | 张国防 |
| 地址: | 471023 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光纤 腔式动 高压 传感器 | ||
1.一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,包括膜片体(1)、上陶瓷插芯(2)、支撑圆柱(3)、安装壳体(4)、下陶瓷插芯(5)、插芯固定帽(6)、导向定位杆(7)、光纤(8)、保护套(9)和固定接头(10),膜片体(1)固定在安装壳体前端(4)后形成传感器的感压面,上陶瓷插芯(2)位于支撑圆柱(3)内,两者的上端面平齐并与膜片体紧密接触,支撑圆柱(3)的下端面与安装壳体之间采用圆锥式接触面,下陶瓷插芯(5)通过插芯固定帽(6)与导向定位杆(7)固定在一起装入安装壳体(4)内,上陶瓷插芯(2)的下端面与下陶瓷插芯(5)的上端面之间即形成F-P腔,保护套(9)固定在安装壳体(4)的下部,带有光纤护套的光纤(8)通过固定接头(10)固定于保护套(9)下端。
2.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的上陶瓷插芯(2)下端面镀制了反射率约为35%的介质膜。
3.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的下陶瓷插芯(5)上端面镀制了反射率约为6%的介质膜。
4.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的光纤(8)是单模光纤。
5.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的膜片体(1)具有一凹腔,凹腔的底部与支撑圆柱(3)上端面直接接触,凹腔的外表面刻有螺纹。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所,未经中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420011664.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





