[实用新型]一种光纤F-P腔式动高压传感器有效

专利信息
申请号: 201420011664.3 申请日: 2014-01-09
公开(公告)号: CN203643078U 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 余尚江;陈晋央;杨吉祥;郭士旭;周会娟;贾超;黄刘宏 申请(专利权)人: 中国人民解放军总参谋部工程兵科研三所
主分类号: G01L11/02 分类号: G01L11/02;G01L23/00
代理公司: 郑州中民专利代理有限公司 41110 代理人: 张国防
地址: 471023 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 腔式动 高压 传感器
【权利要求书】:

1.一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,包括膜片体(1)、上陶瓷插芯(2)、支撑圆柱(3)、安装壳体(4)、下陶瓷插芯(5)、插芯固定帽(6)、导向定位杆(7)、光纤(8)、保护套(9)和固定接头(10),膜片体(1)固定在安装壳体前端(4)后形成传感器的感压面,上陶瓷插芯(2)位于支撑圆柱(3)内,两者的上端面平齐并与膜片体紧密接触,支撑柱(3)的下端面与安装壳体之间采用圆锥式接触面,下陶瓷插芯(5)通过插芯固定帽(6)与导向定位杆(7)固定在一起装入安装壳体(4)内,上陶瓷插芯(2)的下端面与下陶瓷插芯(5)的上端面之间即形成F-P腔,保护套(9)固定在安装壳体(4)的下部,带有光纤护套的光纤(8)通过固定接头(10)固定于保护套(9)下端。

2.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的上陶瓷插芯(2)下端面镀制了反射率约为35%的介质膜。

3.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的下陶瓷插芯(5)上端面镀制了反射率约为6%的介质膜。

4.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的光纤(8)是单模光纤。

5.根据权利要求1所述的一种光纤F-P腔式动高压传感器,其特征在于,所述的膜片体(1)具有一凹腔,凹腔的底部与支撑圆柱(3)上端面直接接触,凹腔的外表面刻有螺纹。

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