[实用新型]具有低漏电高发光效率的外延生长结构有效
| 申请号： | 201420009213.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204144303U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 钟玉煌;郭明灿;冯雪瑞 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 漏电 发光 效率 外延 生长 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有低漏电高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构；其特征是：所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层（6），所述N型化合物半导体材料层（6）上生长有有源层（7），所述有源层（7）上生长有电子溢出阻挡层（8），所述电子溢出阻挡层（8）上生长有P型化合物半导体材料层（9）；
所述缓冲层包括第一缓冲层（2）、第二缓冲层（3）、第三缓冲层（4）及第四缓冲层（5）；第一缓冲层（2）、第二缓冲层（3）、第三缓冲层（4）及第四缓冲层（5）的厚度均为5~50nm；
所述第一缓冲层（2）为AlN层，第二缓冲层（3）为GaN层，第三缓冲层（4）为AlGaN层，第四缓冲层（5）为GaN层；
所述N型化合物半导体材料层（6）为N型GaN层；
所述P型化合物半导体材料层（9）为P型GaN层。
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