[实用新型]测试闪烁材料余辉的装置有效
| 申请号: | 201420008690.0 | 申请日: | 2014-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN203720112U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
| 发明(设计)人: | 李焕英;任国浩;徐权 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号: | G01N23/223 | 分类号: | G01N23/223 |
| 代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;姚佳雯 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测试 闪烁 材料 余辉 装置 | ||
1.一种测试闪烁材料余辉的装置,其特征在于,包括:
暗箱;
设于所述暗箱内的激发光源;
用于控制所述激发光源以使其按次数曝光的曝光控制单元;
在所述暗箱内位于所述激发光源下方且用于载置闪烁材料的台架;
在所述台架上设于所述闪烁材料下方以将所述闪烁材料产生的光信号转换为电信号的光电转换器件;
与所述光电转换器件相连以将所述电信号转换为电压信号并放大的放大电路;
用于采集所述电压信号的信号采集单元; 以及
用于将采集到的所述电压信号转换为电子数据并显示的控制单元。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述光电转换器件为硅光电二极管或者光电倍增管。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述放大电路设于所述暗箱的外部。
4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述光电转换器件与所述放大电路之间通过同轴电缆相连。
5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述光电转换器件为阵列型硅光电二极管。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述放大电路设于所述暗箱内。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述阵列型硅光电二极管安装入所述放大电路的连接插孔中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述台架为可升降台架。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述放大电路与所述信号采集单元之间通过磁屏蔽同轴电缆相连。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,还包括分别设于所述暗箱的外部且用于对所述激发光源和所述放大电路供电的供电单元。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述曝光控制单元设于所述暗箱的外部。
12.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述信号采集单元为垂直分辨率大于10位的数字采集卡、或垂直分辨率大于10位的采集模式下的示波器、或万用表。
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