[实用新型]一种高性能微带多级低噪声放大器

权利要求书

1.一种高性能微带多级低噪声放大器，其特征在于：包括三级依次串接的低噪声放大器、电源、滤波电容和∏型滤波器；所述低噪声放大器各级之间分别连接着两个∏型滤波器；所述电源为两组、分别通过两个滤波电容滤波后为各部件供电；所述低噪声放大器包括FET晶体管、输入匹配电路、输出匹配电路、四分之一波长扇形微带结构、第一分压电路和第二分压电路，所述输入匹配电路与FET晶体管的栅极相连，所述输出匹配电路与FET晶体管的漏极相连，所述第一分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的栅极连接、供FET晶体管工作所需要的栅极电压，所述第二分压电路通过四分之一波长扇形微带结构与FET晶体管的漏极连接、供FET晶体管工作所需要的漏极电压。

2.根据权利要求1所述的高性能微带多级低噪声放大器，其特征在于：所述FET晶体管采用源级串联负反馈结构。

3.根据权利要求1或2所述的高性能微带多级低噪声放大器，其特征在于：所述FET晶体管采用MGF4941AL芯片。