[实用新型]BFM光探测器装配体有效

专利信息
申请号: 201420001279.0 申请日: 2014-01-02
公开(公告)号: CN203660273U 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 张亮;徐泽池 申请(专利权)人: 大连藏龙光电子科技有限公司
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/024
代理公司: 大连博晟专利代理事务所(特殊普通合伙) 21236 代理人: 于忠晶
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: bfm 探测器 装配
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及光通信元器件领域,尤其是应用于激光发射器中,作为自动功率控制电路(APC)的主要组成部分的BFM光探测器装配体。

背景技术

随着光通信的发展,小型化高速率发射模块已成为市场主要需求,BFM(Back Facet Monitor)光探测器作为发射模块的主要组件,其作用是把光信号转换成电信号,通过监控激光二器芯片的光功率,从而检测其特性。因此对BFM光探测器装配体在性能,体积和灵活性上有了更高的要求,并且需要能够方便组装,适合大批量生产。在激光发射器中的BFM光光探测器的主要参数是暗电流,它直接影响光探测器的响应度和灵敏度。

目前市场上普遍使用的BFM光探测器的装配体有两种:一种是把探测芯片贴装在两面镀金的热沉上,热沉再贴装到电板上,可以通过前后移动热沉和旋转热沉,改变背光电流大小,这种装配体有许多不足,如体积大,打金线不方便,暗电流大;另一种是没有使用热沉的BFM光探测器,直接把BFM光探测器贴装到电板的凹槽里,这种装配体的最大不足之处是不容易改变探测的背光电流。

发明内容

    实用新型的目的是提供一种结构简单,能有效控制背光电流大小,减小暗电流且灵敏度高的BFM光探测器装配体。

本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案:BFM光探测器装配体,包括探测器芯片和热沉,所述热沉的正面和两平行侧面上设有导电层,在其中一个设有导电层的所述侧面上加反向偏压;所述探测器芯片贴装于所述热沉的正面并利用金线绑定,所述热沉的侧面通过导电层贴装于电板上。

所述导电层为镀金层。

本实用新型的有益效果在于:本实用新型结构简单,通过将光探测芯片贴在正面及两平行侧面镀金的热沉正面,热沉的其中一个侧面通过导电的镀金层外加反向偏压而使探测器处于正常工作状态中,热沉的另一平行侧面通过导电的镀金层直接贴装于电板上,达到将本装配体直接接地的目的。此种装配方式金线绑定后,暗电流较小;本装配体也采纳没有热沉的光探测器的优点,将装配体贴装于电板上直接接地,减小暗电流,提高其灵敏度。由于一端直接接地,只需打一条金线,加反向偏压,相比于两面镀金,其更适合打线,进而提高了生产效率。

附图说明

图1为本实用新型的立体图;

图2为本实用新型的金线绑定后的装配示意图;

图3为本实用新型BFM光探测器装配体与激光器芯片的安装示意图;

图4是图3的立体图。

图中,1-光探测器芯片,2-热沉,3-金线,4-激光器芯片,5-加有反向偏压的热沉侧面,51-贴装于电板上的热沉侧面。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型进行说明:

图1是本实用新型BFM光探测器装配体的立体图。BFM光探测器装配体,包括光探测器芯片1和热沉2,本装配体的光探测芯片1技术采用InGaAs/InP材质,配合1260-1620nm波长光接收范围,具有良好的响应度;热沉2的正面和两平行侧面5上设有导电的镀金层,探测器芯片1贴装于所述热沉2的正面并利用金线3绑定(如图2所示),热沉2的侧面5通过导电的镀金层外加反向偏压而使探测器处于正常工作状态中,从而达到监测激光器性能的作用,热沉2的另一平行侧面为贴装于电板上的热沉侧面51,通过设于其上的导电的镀金层直接将热沉2贴装于电板上,达到将本装配体直接接地的目的。

图3、4分别是BFM光探测器装配体与激光器芯片的安装示意图和立体图。本装配体在监控激光器芯片1性能时可前后左右移动和旋转热沉2,有效控制背光电流大小。当激光器芯片4的背光面和本实用新型的BFM光探测器的正面所成角度α≥7°时,能有效避免其在接收光的同时产生的光反射而影响激光器的性能。本装配体也采纳了没有热沉的光探测器的优点,将装配体直接接地,有效减小了暗电流,提高其灵敏度。由于光探测器1的一端贴到热沉上,而热沉2的侧面51通过导电的镀金层贴装于电板上,达到将装配体直接接地的目的,所以只需打一条金线将探测器芯片1与热沉2绑定,相比于两面镀金,其更适合打线,进而提高了生产效率。

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