[实用新型]一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及出片电性测试技术领域，更具体的说，特别涉及一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置。

背景技术

超薄芯片是指芯片厚度小于100μm的芯片，目前6英寸的设备只能做到150-180um，其对于120um以下的芯片的破片率超过30%。而在280-350μm厚度的6英寸预减薄晶圆背面中心，减薄出一个5英寸直径的圆，该圆的内部晶圆达到60-90μm厚度，保留圆外的晶圆材料，支撑晶圆不变形，称其为背凹超减薄晶圆。

背凹超减薄片基本避免了各种原因造成的内部应力和脆性损伤的问题，但是其是以浪费近28%的晶圆面积和材料为代价，完全避免了减薄破片。由于圆片背面形貌的变化，导致无法进行WAT测试（wafer accept test，即出片电性测试），无法校正工艺制程。因此，在加工完成后将直接封测，存在以下几个问题：一、无法取得晶圆的WAT测试参数，也无法校正工艺制程，导致超减薄区域的合格率仅为70%-80%；二、晶圆直接封测，增加20%-30%的封装成本，由于无法监控WAT测试参数，容易产生工艺波动，影响成品质量，降低了客户的满意度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可获得出片电性测试参数并且封装成本低、合格率高的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置。

为了解决以上提出的问题，本实用新型采用的技术方案为：一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，包括测试台盘，还包括设于测试台盘上用于对背凹超减薄晶圆进行限位的晶圆限位装置，设于测试台盘上对背凹超减薄晶圆背面进行吸附的真空槽，设于测试台盘内的导腔管道，设于导腔上并与测试台盘上表面连通的多个孔道，设于导腔管道上的二位三通阀，与二位三通阀连通的真空泵和U型管，以及填充于U型管内的导电材料，并且所述二位三通阀还与真空槽连通。

根据本实用新型的一优选实施例：所述晶圆限位装置包括设于测试台盘上的两个晶圆限位块。

根据本实用新型的一优选实施例：所述导电材料为水银。

根据本实用新型的一优选实施例：所述背凹超减薄晶圆的外径为6英寸，所述真空槽的外径为5.5英寸，宽度为1mm。

根据本实用新型的一优选实施例：所述孔道的数量为九个，其中一个孔道设置于测试台盘的中心位置，其中八个孔道均匀设置于以测试台盘的中心为圆心、半径为50mm的位置，并且每个孔道的直径均为1mm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

1、本实用新型实现了背凹超减薄晶圆的出片电性测试并获取测试参数，可用于指导制程的改善，提高了背凹超减薄晶圆的合格率；

2、实现了对不合格的背凹超减薄晶圆事先剔除，降低了封装成本，同时还避免了工艺波动对产品的影响。

附图说明

图1为本实用新型的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置的侧视图。

图2为本实用新型的背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置的俯视图。

附图标记说明：1、测试台盘，2、真空槽，3、孔道，4、导腔管道，5、二位三通阀，6、真空泵，7、U型管，8、导电材料，9、背凹超减薄晶圆，10、晶圆限位块，11、晶圆外轮廓，12、晶圆内轮廓。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。

参阅图1和图2所示，本实用新型提供一种背凹超减薄晶圆的出片电性测试装置，包括测试台盘1，还包括设于测试台盘1上用于对背凹超减薄晶圆9进行限位的晶圆限位装置，设于测试台盘1上对背凹超减薄晶圆9背面进行吸附的真空槽2，设于测试台盘1内的导腔管道4，设于导腔4上并与测试台盘1上表面连通的多个孔道3，设于导腔管道4上的二位三通阀5，与二位三通阀5连通的真空泵6和U型管7，以及填充于U型管7内的导电材料8，并且所述二位三通阀5还与真空槽2连通。

在本实用新型中，所述的晶圆限位装置包括设于测试台盘1上的两个晶圆限位块10，其采用的是特氟龙材料。

在本实用新型中，所述的导电材料8优选为水银。

在本实用新型中，所述背凹超减薄晶圆9的外径为6英寸，所述真空槽2的外径为5.5英寸，宽度为1mm，同时孔道3的数量为九个，其中一个孔道3设置于测试台盘1的中心位置，其中八个孔道3均匀设置于以测试台盘1的中心为圆心、半径为50mm的位置，并且每个孔道3的直径均为1mm。