[发明专利]具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法有效
申请号: | 201410858296.0 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN105097869B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 李振福;金容一;李恩惠 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 反射 黑底 平板 显示器 及其 制造 方法 | ||
本公开涉及具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法。本公开提出一种平板显示器,该平板显示器包括:基板,其具有开放区和非开放区;模糊层,其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内;黑底,其堆叠在所述模糊层上;驱动元件,其位于所述非开放区内;显示元件,其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。
本申请要求2014年5月22日提交的韩国专利申请No.10-2014-0061756号的优先权,该申请出于所有目的以引用方式并入本文,如同在本文中完全阐明。
技术领域
本公开涉及具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法。尤其是,本公开涉及具有黑底的平板显示器及其制造方法,该黑底包含模糊层(hazy layer)以防从外部入射的光被直接反射到用户。
背景技术
现在,为了克服阴极射线管的众多缺点(诸如,重重量和大体积),开发了各种平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场致发射显示器(或FED)、等离子体显示面板(或PDP)及电致发光装置(或EL)。尤其是,日益需要采用低温多晶硅(或LTPS)作为沟道器件的高品质平板显示器。
电致发光显示装置按照发光材料分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置,电致显示装置具有反应速度很快、亮度很高及视角大的优点。尤其是,由于高能效、低电流泄漏并易于使用电流控制再现颜色,日益需要有机发光二极管显示器。
图1是示出有机发光二极管结构的图示。如图1中所示,有机发光二极管包括有机发光材料层,以及其间带有有机发光材料层的、相互面对的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光,在所述激发态下,空穴和电子在发光层EML中复合。
有机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光,在所述激发态下,来自阳极的空穴和来自阴极的电子在在发光层EML中复合。有机发光二极管显示器能够通过控制如图1中所示有机发光二极管的发光层EML所产生和辐射的光的量(或“亮度”)而表现视频数据。
使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或OLED)可以分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。
图2是示出有源矩阵有机发光二极管显示器(或AMOLED)内一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据相关技术使用薄膜晶体管的AMOLED的结构的平面图。图4是沿图3中截线I-I′的剖视图,用于示出根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构。图5是沿图3中截线I-I′的剖视图,用于示出根据相关技术的顶部发光型AMOLED的结构。因为平面图中并未示出底部发光型和顶部发光型之间的差异,所以图3是通用的。
参照图2和3,有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT、连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLED。扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD形成在基板SUB上以限定像素区。有机发光二极管OLED形成在像素区内以限定发光区。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的位置。开关薄膜晶体管ST起到选择哪个像素连接到开关薄膜晶体管ST的作用。开关薄膜晶体管ST包括从选通线GL分支的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管DT起到驱动位于开关薄膜晶体管ST所选择的像素处的有机发光二极管OD的阳极ANO的作用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的