[发明专利]一种电镀填通孔的方法在审
| 申请号: | 201410856744.3 | 申请日: | 2014-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN104532318A | 公开(公告)日: | 2015-04-22 |
| 发明(设计)人: | 崔正丹;谢添华;李志东 | 申请(专利权)人: | 广州兴森快捷电路科技有限公司;宜兴硅谷电子科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D5/00;C25D5/08 |
| 代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
| 地址: | 510663 广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电镀 填通孔 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电镀技术,特别是涉及一种电镀填通孔的方法。
背景技术
印制线路板的制造过程中,需要对印制线路板上的通孔进行填充;目前来说,多是采用电镀填通孔技术进行填充通孔。
通常,电镀装置包括电镀槽、电镀溶液、电源、阳极,电镀槽中装有电镀溶液,阳极连接电源的正极,阳极置于电镀槽的电镀溶液中。电镀装置通常也设有与电镀槽连接的喷流装置,喷流装置设有喷管,喷管上设有喷嘴。喷流装置将电镀槽中的电镀溶液吸入再由喷嘴喷出到电镀槽中,以驱使电镀溶液在电镀槽中流动。
目前,使用上述电镀装置进行电镀填通孔时,将带有通孔的待镀件作为阴极,连接到电源的负极,然后将带有通孔的待镀件置入电镀槽的电镀溶液中,然后控制电源给阳极和阴极供电,并以恒定的电流密度、恒定时间进行电镀,完成填充通孔。例如,对于孔径为80-100μm、孔深为100-150μm的通孔,在达到一定的填充效果(孔口凹陷值为16-22μm)的前提下,按目前的电镀填通孔方法进行填充通孔,电镀时间都要在70-80min。
但目前的电镀填通孔方法所需的电镀时间相对较长,导致降低生产效率。
发明内容
基于此,有必要针对目前电镀填通孔的时间较长的问题,提供一种电镀填通孔的方法,能相对降低通孔的填充时间,利于提高生产效率。
一种电镀填通孔的方法,包括以下步骤:
1)采用电镀装置,电镀装置包括电镀槽、电镀溶液、电源、阳极,电镀槽中装有电镀溶液,阳极连接电源的正极,阳极置于电镀槽的电镀溶液中;
2)将带有通孔的待镀件与所述电源的负极连接,并置于电镀槽的电镀溶液中;
3)按控制条件控制电源工作,进行T时间的连续电镀,T>0;所述控制条件为:
在初始阶段T1时间内,待镀件的电流密度J1为2-3ASD,30%≤T1/T≤50%,
在中期阶段T2时间内,待镀件的电流密度J2为0.5-1.5ASD,20%≤T1/T≤40%,
在末期阶段T3时间内,待镀件的电流密度J3为1.0-2.0ASD,T3=T-T1-T2,J1>J3>J2。
在其中一个实施例中,步骤1)中的电镀装置还包括与电镀槽连接的喷流装置,喷流装置设有位于电镀槽内的喷嘴;
步骤3)具体是,按控制条件控制电源工作和控制喷流装置进行侧面喷流,进行T时间的连续电镀;所述控制条件为:
在初始阶段T1时间内,待镀件的电流密度J1为2-3ASD,喷嘴流量q1为1.5-2L/min,30%≤T1/T≤50%;
在中期阶段T2时间内,待镀件的电流密度J2为0.5-1.5ASD,喷嘴流量q2为3-5L/min,20%≤T2/T≤40%;
在末期阶段T3时间内,待镀件的电流密度J3为1.0-2.0ASD,喷嘴流量q3为2-3L/min,T3=T-T1-T2,J1>J3>J2,q2>q3>q1。
本发明的方法在电镀过程的先后三个阶段中对应地按待镀件的电流密度大小中来控制电源工作以进行电镀,经测试,本发明的方法相对于现有方法具有以下好的效果:达到相同的通孔填充效果,电镀的时间少;电镀的时间相同,通孔填充效果好。因此,本发明能相对降低通孔的填充时间,利于提高生产效率。
本发明的方法在控制电源工作的情况下结合控制喷流装置的工作进行配合,使得通孔填充效果进一步的提高。
附图说明
图1为用于实现本发明方法的电镀装置的一种结构示意图。
具体实施方式
实施例一
一种电镀填通孔的方法,包括以下步骤:
1)如图1所示,采用电镀装置,电镀装置包括电镀槽1、电镀溶液2、电源3、阳极4,电镀槽1中装有电镀溶液2,阳极4连接电源5的正极,阳极4置于电镀槽1的电镀溶液2中;
2)将带有通孔61的待镀件6与所述电源5的负极连接,并置于电镀槽1的电镀溶液2中;
在此步骤中,将带有通孔61的待镀件6作为阴极连接到电源5上,在电镀溶液的作用下,待镀件6与电源5、阳极4构成一回路。
3)按控制条件控制电源3工作,进行T时间的连续电镀,T>0;所述控制条件为:
在初始阶段T1时间内,待镀件6的电流密度J1为2-3ASD,30%≤T1/T≤50%,
在中期阶段T2时间内,待镀件6的电流密度J2为0.5-1.5ASD,20%≤T2/T≤40%,
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