[发明专利]晶体硒化锌

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶体硒化锌。

背景技术

硒化锌(ZnSe)为黄色的透明的多晶体，典型的II-VI族的化合物半导体材料。分子量：144.35，密度：5.27，熔点：1525℃。不具有吸湿性，化学性质稳定(除非是用强酸处理)。

硒化锌结晶颗粒大小约为70μm，透光范围0.5-15μm。由于其优秀的物理化学性质，在蓝光半导体发光器件、非线性光电器件、核辐射探测器件和近紫外-可见光探测器件方面具有重要的应用前景，硒化锌晶体基本不存在杂质吸收，散射损失极低。由于对10.6μm波长光的吸收很小，因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的首选材料。此外在其整个透光波段内，也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。尤其是在激光器加工设备市场和红外热成像市场都面临着良好的发展前景，预计未来几年硒化锌红外材料市场需求将保持稳定增长趋势。

硒化锌晶体可以由化学气相沉积(CVD)方法、物理气相沉积(PVD)方法、晶体生长法等制得。目前国内还没有比较成熟配套的生产工艺系统，我国硒化锌晶体依赖进口，而大尺寸的硒化锌晶体由于具有军用价值，欧美严禁向中国出口，本发明的晶体硒化锌的深入拓展不仅具有经济价值，也具有很好的社会价值。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种晶体硒化锌。

为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：

本发明一种晶体硒化锌，采用以下工艺制备：

1)、对硒化锌粉料进行筛选，除去杂质，使得粉料的外观颜色一致；

2)、将硒化锌装入物理气相沉积炉，在真空条件下严格控制升温，使得硒化锌蒸汽从热端在冷端固化沉积，形成晶体；严格按照升温曲线控制升温过程，物理气相沉积过程最 高温度控制在低于850℃以下，否则电开关断开，回收过程中没有蒸气外泄，更不会导致硒化锌分解。

3)、对形成的硒化锌晶体验收；外形、硬度、颜色、透过率达到设定指标的硒化锌晶体进行切割；

4)、包装。可以使用真空铝塑纸进行封装，用专用的真空封装机封口。

进一步的，该晶体硒化锌的制备工艺步骤3)与4)之间还包括步骤5)：将不合格的硒化锌晶体以及3)中切割过程中的边角料，在封闭的器皿内进行破碎，之后进入(1)环节，进行循环利用。

本发明所达到的有益效果是：

整个过程没有任何其它的辅助材料或溶剂，仅只是硒化锌固体粉末蒸发冷却固化为晶体。以上环节全部在洁净间中进行，物理气相沉积升温控制安全可靠，洁净间内部和外部环境空气通过高效过滤“隔离”，同时生产人员必须严格佩戴健康防护用具上岗，一方面是保护了硒化锌晶体的品质，另一方面更是实现对生产人员与外部环境的保护目的。

具体实施方式

以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例

一种晶体硒化锌，采用以下工艺制备：

1)、对硒化锌粉料进行筛选，除去杂质，使得粉料的外观颜色一致；

2)、将硒化锌装入物理气相沉积炉，在真空条件下控制升温，使得硒化锌蒸汽从热端在冷端固化沉积，形成晶体；最高温度低于850℃；

3)、对形成的硒化锌晶体验收；外形、硬度、颜色、透过率达到设定指标的硒化锌晶体进行切割；

4)、将不合格的硒化锌晶体以及3)中切割过程中的边角料，在封闭的器皿内进行破碎，之后进入(1)环节，进行循环利用。

5)、使用真空铝塑纸进行封装，真空封装机封口。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡 在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。