[发明专利]一种预置胶膜的芯片及其实现方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路芯片及集成电路封装技术，特别涉及一种智能卡用集成电路芯片。

背景技术

随着集成电路封装技术的不断进步，集成电路的集成度日益提高，功能越来越丰富。对于不断出现的新应用需求，要求集成电路封装企业能设计出新型的封装形式来配合新的需求。

目前，在半导体封装领域，固晶的方式大都采用银浆点胶固晶的方式；特别是在智能卡模块封装领域，传统的智能卡模块无一例外的都采用银浆固晶的方式将芯片安装到载带上，通过加热将银浆固化，再进行后续的引线焊接、封装、测试等工序。采用银浆点胶的工艺，存在生产工艺繁琐、材料成本高、材料损耗大，生产效率低等缺点。

为此，开发新的生产工艺和新的技术，是本领域亟需要解决的问题，行业内也出现了采用倒封装的工艺来替代传统的引线焊接工艺实现智能卡模块的生产，但是这种方式有它的局限性，比如载带的通用性不强，每种芯片必须配套设计专用的智能卡载带，载带上的焊盘和芯片必须一一对应，更换芯片必须同时更换载带，这种方式对于中小批量，多型号的生产非常不利。

发明内容

针对现有的智能卡模块生产工艺繁琐、生产成本高且生产效率低等问题，本发明的目的之一在于提供一种预置胶膜的芯片。

本发明的目的之二在于提供一种上述预置胶膜的芯片的实现方案。

本发明利用上述方法实现的智能卡芯片，可以方便地用于智能卡和半导体封装领域，可以有效简化生产流程，提高生产效率，更降低了产品的生产成本。

为了达到上述目的，本发明采用如下的技术方案：

目的1：一种预置胶膜的芯片，包括芯片电路层，其特征在于，所述芯片还包括胶膜层，所述胶膜层预设在芯片的电路层的反面，该胶膜层与芯片的电路层反面对应配合且紧密贴合。

进一步的，所述的胶膜层具有随温度变化而产生状态和粘性变化的特性，常温下胶膜呈固态，加热后胶膜融化，并产生较强的粘结力，胶膜的低温融化温度在50-100℃之间。

进一步的，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时不可再次融化。

进一步的，所述的胶膜层经过一次低温加热融化后在常温下固化，在二次低温加热时可以再次融化。

进一步的，所述的胶膜层经100-200℃快速高温加热后达到最终固化，最终固化后再次加热不能融化，具有不可回溯的特性。

进一步的，所述的胶膜层厚度均匀为5～30um。

目的2：一种预置胶膜的芯片的实现方法，所述方法包括如下步骤：

(1)晶圆翻膜：将需要切割的晶圆的电路层正面和固晶薄膜贴合在一起，并翻转，暴露出晶圆电路层反面；

(2)涂胶：在晶圆的电路层反面覆盖一层胶膜；

(3)固化：对由步骤(2)得到的晶圆进行固化，在晶圆的电路层反面形成一胶膜层；

(4)晶圆再翻膜：对步骤(3)得到的覆盖了胶膜的晶圆，除去电路层正面贴合的固晶薄膜，并翻转，将晶圆电路层反面的胶膜层和新的固晶薄膜贴合在一起，暴露出晶圆的电路层正面；

(5)切割：对步骤(4)得到晶圆，通过芯片切割设备进行切割，使分离出单个独立的芯片。

进一步的，所述步骤(2)中通过涂胶设备采用半流体状的胶体，经过涂布工艺进行将胶体均匀涂布到晶圆电路层反面的整个表面，且胶体厚度均匀。

进一步的，所述步骤(2)采用固体状的胶膜经过贴合工艺将胶膜平整地贴附到晶圆电路层反面的整个表面，胶膜无气泡，无皱褶，并去除多余的胶膜。

进一步的，其特征在于，所述步骤(5)采用晶圆切割设备将预置了胶膜的晶圆本体完全分离，切割槽的深度控制在大于胶膜底部的深度。

本发明提供的预置胶膜的芯片，其在实际应用过程可以省去固晶过程中的银浆点胶的工艺，部分情况下更可以省去了加热固化的制程，大大节约了生产时间，提高了生产效率，同时也降低了由于点胶调试而浪费的原材料损耗，并彻底解决了点胶过程中的不良率问题，为产品的批量生产提供了技术保障。

再者本发明提供的方案能够适应半导体、集成电路领域的封装要求，更适合在智能卡模块领域的创新应用，将极大地推动全球智能卡模块封装行业发展，具有较好的应用前景。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式来进一步说明本发明。

图1为本发明中晶圆电路背面贴附固晶薄膜的示意图；

图2为本发明中晶圆电路面贴附固晶薄膜并涂布胶膜的示意图；

图3为本发明中经过预置了胶膜的晶圆经过切割工序后的示意图；