[发明专利]曲率渐变的弯曲波导量子点超辐射发光管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410854195.6 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104485403A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王飞飞;吴艳华;胡发杰;金鹏;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曲率 渐变 弯曲 波导 量子 辐射 发光 及其 制备 方法 | ||
1.一种弯曲波导量子点超辐射发光管，包括：
衬底；
位于衬底上的量子点增益介质；
波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线为椭圆的一部分。
2.根据权利要求1所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，弯曲部分的公式为
3.根据权利要求2所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，所述弯曲部分的曲率半径是渐变的。
4.根据权利要求3所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，所述波导结构的最终偏离角与出光面法线的夹角为7°，弯曲部分的长度为1mm。
5.根据权利要求1的量子点超辐射发光管，其特征在于，其外延结构依次为衬底、缓冲层、下包覆层、有源区、上包覆层、欧姆接触层。
6.根据权利要求5所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，所述有源区为砷化铟/砷化镓量子点结构。
7.一种弯曲波导量子点超辐射发光管的制备方法，包括：
步骤S1：在外延片上涂覆一层光刻胶；
步骤S2：采用光刻方法刻蚀出波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线的公式为
步骤S3：采用腐蚀的方法将波导结构图形转移到外延片上；
步骤S4：将基片上的光刻胶去除；
步骤S5：在基片上生长一层二氧化硅绝缘层；
步骤S6：在基片上再次涂覆光刻胶；
步骤S7：在弯曲波导结构上开出电注入窗口；
步骤S8：去除光刻胶；
步骤S9：在基片的背面和正面生长金属电极；
步骤S10：退火完成合金化。
8.一种弯曲波导量子点超辐射发光管，包括：
衬底；
位于衬底上的量子点增益介质；
波导结构，包括直段部分和弯曲部分，弯曲部分的曲线为双曲线的一部分。
9.根据权利要求8所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，弯曲部分的公式为
10.根据权利要求9所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，弯曲部分的曲率半径是渐变的。
11.根据权利要求10所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，所述波导结构的最终偏离角与出光面法线的夹角为7°，弯曲部分的长度为1mm。
12.根据权利要求8的量子点超辐射发光管，其特征在于，其外延结构依次为衬底、缓冲层、下包覆层、有源区、上包覆层、欧姆接触层。
13.根据权利要求12所述的量子点超辐射发光管，其特征在于，所述有源区为砷化铟/砷化镓量子点结构。
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