[发明专利]一种低硼磷冶金级硅的制备方法在审
| 申请号： | 201410852837.9 | 申请日： | 2014-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104593828A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 石忠宁;李亮星;刘爱民;何文才;谢开钰;关苹苹;吴晓卫;徐君莉;胡宪伟;高炳亮 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C25C3/36 | 分类号： | C25C3/36;C01B33/037 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低硼磷 冶金 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低硼磷冶金级硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、按质量比为0.6～1.3取铁和镍制备Fe-Ni合金惰性电极；
S2、取适量冰晶石熔盐，按质量百分比加入Al2O3 1～3％、CaO 1～4％、NaCl1～5％、SiO2 2.5～8.0％混合均匀后，按质量百分比加入5％的铝块；
S3、以步骤S1制备所得的Fe-Ni合金惰性电极作为阳极，以金属铝为阴极，电解步骤S2所得的冰晶石熔盐；
S4、通入电流后，在阴极析出硅，硅进入铝液后形成铝硅合金；
S5、将步骤S4所得的液态铝硅合金吸出，进行定向凝固后，共晶，铝硅合金中的硅析出。
2.根据权利要求1所述的一种低硼磷冶金级硅的制备方法，其特征在于，所述的电解的温度为950～970℃。
3.根据权利要求1所述的一种低硼磷冶金级硅的制备方法，其特征在于，所述的阳极电流密度为0.4A/cm2～1.3A/cm2。
4.根据权利要求1所述的一种低硼磷冶金级硅的制备方法，其特征在于，所述的电解的时间为4～8h。
5.根据权利要求1所述的一种低硼磷冶金级硅的制备方法，其特征在于，所述的冰晶石分子比为2.2～2.4。
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