[发明专利]基于超材料的光忆阻片

权利要求书

1.一种片状的忆阻器，包括光忆阻和填充介质；

其中，所述光忆阻位于所述填充介质内；

所述光忆阻的个数至少为一个。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于：所述片状的忆阻器由所述光忆阻和填充介质组成。

3.根据权利要求1或2所述的忆阻器，其特征在于：构成所述光忆阻的材料为陶瓷颗粒、导电金属材料或非正定介质；

其中，所述陶瓷颗粒具体为CaTiO₃、SrTiO₃或BaTiO₃；

所述导电金属材料具体为金、银或铜；

所述非正定介质具体为石墨、二硫化钼或磷酸钛氧钾；

构成所述填充介质的材料为对所述忆阻器的使用频段透明的材料。

4.根据权利要求3所述的忆阻器，其特征在于：所述陶瓷颗粒的粒径为1μm-2μm，介电常数为1-10000，介电损耗角正切低于0.1。

5.根据权利要求1-4中任一所述的忆阻器，其特征在于：构成所述光忆阻的材料为陶瓷颗粒，所述光忆阻的形状为立方体或球体；

构成所述光忆阻的材料为导电金属材料，所述光忆阻为导电金属材料本体，且所述本体具有一缺口。

6.根据权利要求5所述的忆阻器，其特征在于：所述本体为方形、圆形或Ω形。

7.根据权利要求5所述的忆阻器，其特征在于：形状为立方体或球体的所述光忆阻是按照包括如下步骤的方法制得：将CaTiO₃、SrTiO₃或BaTiO₃于1400℃-1450℃烧结后冷却至室温而得。

8.根据权利要求1-7中任一所述的忆阻器，其特征在于：所述光忆阻的个数不少于一个且构成所述光忆阻的材料为所述陶瓷颗粒或所述非正定介质时，所述光忆阻在所述波导内周期性排列，且相邻两光忆阻之间的间距相同。

9.权利要求1-8中任一所述忆阻器在制备光学器件中的应用。

10.含有权利要求1-8中任一所述忆阻器的光学器件。