[发明专利]核磁共振陀螺仪敏感探测单元及该单元的制造方法有效
| 申请号: | 201410850404.X | 申请日: | 2014-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN104457729A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 张鹏;陈海涛;孙帅;徐兴烨;黄辉 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号: | G01C19/60 | 分类号: | G01C19/60;G01C25/00 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 张利明 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 核磁共振 陀螺仪 敏感 探测 单元 制造 方法 | ||
1.核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,它包括:VCSEL激光器(13)、起偏器(14)、准直透镜(15)、1/4波片(16)、核磁共振气室(19)、光电探测器(21)和支架;
支架包括:立柱(22)、底座(23)、激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6);
立柱(22)垂直固定在底座(23)上,底座(23)上开有光电探测器通光孔(9),激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)从上至下依次固定在立柱(22)上,且激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6)和光电探测器通光孔(9)同轴;
气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)的外表面分别设有上磁场线圈槽(7)和下磁场线圈槽(8),且上磁场线圈槽(7)和下磁场线圈槽(8)中分别缠绕有上磁场线圈(17)和下磁场线圈(18),气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)内部分别设有上加热片(11)和下加热片(12);
VCSEL激光器(13)位于激光器卡槽(1)中,起偏器(14)位于起偏器卡槽(2)中,准直透镜卡槽(3)位于准直透镜卡槽(3)中,1/4波片卡槽(4)位于1/4波片卡槽(4)中,核磁共振气室(19)位于气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6)之间,光电探测器(21)位于底座(23)下方,且光电探测器(21)的敏感芯片位于光电探测器通光孔(9)的中心位置。
2.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,支架为一体式结构。
3.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,支架的材料为光敏树脂。
4.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,核磁共振气室(19)的形状为球体或圆柱体。
5.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)的结构完全相同,气室上方夹具(5)为开口圆环,该圆环的开口处的两端均设有螺栓孔(10),该螺栓孔(10)能够通过螺栓(20)改变圆环的直径。
6.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,核磁共振气室(19)为玻璃气室。
7.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,VCSEL激光器(13)的波段为794.9nm。
8.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,起偏器(14)为794.9nm波段的红外偏振片。
9.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,光电探测器(21)为794.9nm波段探测器。
10.核磁共振陀螺仪敏感探测单元的制造方法,其特征在于,该法方法如下:
首先采用3D打印技术将支架整体打印出来,然后分别将VCSEL激光器(13)、起偏器(14)、准直透镜(15)、1/4波片(16)、核磁共振气室(19)和光电探测器(21)分别嵌入在相应的卡槽中,最后获得核磁共振陀螺仪敏感探测单元。
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