[发明专利]核磁共振陀螺仪敏感探测单元及该单元的制造方法有效

专利信息
申请号: 201410850404.X 申请日: 2014-12-31
公开(公告)号: CN104457729A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 张鹏;陈海涛;孙帅;徐兴烨;黄辉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十九研究所
主分类号: G01C19/60 分类号: G01C19/60;G01C25/00
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 张利明
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 核磁共振 陀螺仪 敏感 探测 单元 制造 方法
【权利要求书】:

1.核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,它包括:VCSEL激光器(13)、起偏器(14)、准直透镜(15)、1/4波片(16)、核磁共振气室(19)、光电探测器(21)和支架;

支架包括:立柱(22)、底座(23)、激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6);

立柱(22)垂直固定在底座(23)上,底座(23)上开有光电探测器通光孔(9),激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)从上至下依次固定在立柱(22)上,且激光器卡槽(1)、起偏器卡槽(2)、准直透镜卡槽(3)、1/4波片卡槽(4)、气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6)和光电探测器通光孔(9)同轴;

气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)的外表面分别设有上磁场线圈槽(7)和下磁场线圈槽(8),且上磁场线圈槽(7)和下磁场线圈槽(8)中分别缠绕有上磁场线圈(17)和下磁场线圈(18),气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)内部分别设有上加热片(11)和下加热片(12);

VCSEL激光器(13)位于激光器卡槽(1)中,起偏器(14)位于起偏器卡槽(2)中,准直透镜卡槽(3)位于准直透镜卡槽(3)中,1/4波片卡槽(4)位于1/4波片卡槽(4)中,核磁共振气室(19)位于气室上方夹具(5)、气室下方夹具(6)之间,光电探测器(21)位于底座(23)下方,且光电探测器(21)的敏感芯片位于光电探测器通光孔(9)的中心位置。

2.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,支架为一体式结构。

3.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,支架的材料为光敏树脂。

4.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,核磁共振气室(19)的形状为球体或圆柱体。

5.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,气室上方夹具(5)和气室下方夹具(6)的结构完全相同,气室上方夹具(5)为开口圆环,该圆环的开口处的两端均设有螺栓孔(10),该螺栓孔(10)能够通过螺栓(20)改变圆环的直径。

6.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,核磁共振气室(19)为玻璃气室。

7.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,VCSEL激光器(13)的波段为794.9nm。

8.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,起偏器(14)为794.9nm波段的红外偏振片。

9.根据权利要求1所述的核磁共振陀螺仪敏感探测单元,其特征在于,光电探测器(21)为794.9nm波段探测器。

10.核磁共振陀螺仪敏感探测单元的制造方法,其特征在于,该法方法如下:

首先采用3D打印技术将支架整体打印出来,然后分别将VCSEL激光器(13)、起偏器(14)、准直透镜(15)、1/4波片(16)、核磁共振气室(19)和光电探测器(21)分别嵌入在相应的卡槽中,最后获得核磁共振陀螺仪敏感探测单元。

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